硅太阳能电池铝背场P+层的模拟优化.pdfVIP

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2017-06-01 发布于浙江
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硅太阳能电池铝背场P层的模拟优化

第41卷第5期人工晶体学报 V01．41No．5 OFSYNTHETICCRYSTAKS 2012年10月 JOURNAL October，2012 硅太阳能电池铝背场P+层的模拟优化单文光，谢正芳，吴小山，张凤呜 (南京大学物理学院光伏工程中心，南京大学微结构物理国家重点实验室，南京210093) 摘要：针对P型衬底硅太阳电池，以生产线上的实验结果为依据，通过数值计算，模拟了铝背场P+层掺杂浓度分布及其深度对太阳能电池电性能的影响。分析了铝背场P+层在不同掺杂浓度和深度下电性能的变化特征。结果表 X108～9X10”cnl～，当掺杂浓度大于明对于生产线上的电池，P+层深度为5～7¨m的电池片，最佳掺杂浓度为7 5×10”em～，P+层最佳深度将小于1斗m。关键词：硅太阳能电池；铝背场；性能模拟；PCID 中图分类号：TK6 文献标识码：A Simulation of ofBackSurfaceFieldfor OptimizationP+Layer SiliconSolarCell Simulation Crystalline by SHAN Xiao—shan，ZHANG Wen—guang，XIEZheng-fang，WU Feng—ming ofSolidState 210093，China) (PhotovohaieEngineeringCenter，NanjingUniversity，NationalLaboratory Microstmctures，Nanjing 9March (Received2012) siliconsolarcellson ofsolarcell on Abstract：For substrates，thedependence performancedoping p-type concentrationof inthesurfaceandthe was PCIDsimulations P+layer P+layerdepthanalyzedusing basedonthe onthe of concentrationand for experimentsperformedfactory．Effectsdoping depthP+layer Z ontheelectronic arediscussed．Resultsindicatethatthe the7 1018 properties 5-7“mP+depth，and cm一3-9Z1018cm一3 concentrationreachthe of be