PECVD工艺设备介绍-肖刚剖析.ppt

Thin Film-PECVD 肖刚 PECVD工艺和设备简介 目录 1. CVD工艺介绍 1.1 CVD的定义和特征 1.2 CVD工艺介绍 1.3 CVD各膜层简介 1.4 CVD镀膜关键性参数简介 1.5 评价项目和测试设备 2. CVD设备介绍 2.1 主设备简介 2.2 辅助部分简介 CVD工艺介绍 化学气相沉积（CVD） CVD（Chemical Vapor Deposition）以Gas为原材料，在空间进行气相化学反应，在基板表面进行固态薄膜沉积的工艺技术。 Layer Gas Energy:热、电、光 分解 沉积 CVD激发类型 1.PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，高射频电压使Gas分解为Plasma，Plasma沉积形成膜层 2.光CVD：Gas通过光进行分解之后进行沉积 3.热CVD：Gas通过高温加热进行分解 CVD工艺介绍 CVD镀膜的特征 1.容易控制成分 CVD使用的原材料是气体，改变原材料气体的组合就可以改变需要得到薄膜的组成。 比如SixNy，改变使用的原材料气体SiH4和NH3的流量比，就可以改变膜的成分。 如右图所示，SiH4的比例减少时，可以看到成的膜中Si-H的含量也是减少的。 与PVD法比较，PVD使用的原料是固体的材料，要想改变其成分是很困难的。 CVD工艺介绍 2.高速成膜 可以达到20um/min，其速率是Sputter的好几倍 3.压力使用范围广 成膜压力范围10Pa~数1000Pa 与Sputter相比，PVD要在数Pa以下才可以成膜 4.膜层均一性较好 CVD工艺介绍 5. 原材料较危险 Gas 用途 特徴 SiH4 a-Si膜 接触大气可燃，有爆炸的可能性(1.35%以上) Si2H6 a-Si膜 比起SiH4更加危険 H2 a-Si膜 有爆炸的可能性 (4%以上浓度) PH3 离子注入用 剧毒性气体 B2H6 离子注入用 和SiH4一样、毒性也很強 NH3 氮化硅膜用 有毒性、有腐食性 NF3 Cleaning用 毒性強、吸入会引起头痛 N2O Silicon膜用 有麻酔的作用 注意：以上气体如发生泄漏请第一时间撤离现场 CVD工艺介绍 Active Mask ELA Dehydrogenation Buffer a-Si LS Mask LS Dep P+ Doping Gate Dep P-Gate Mask N-Gate Mask N+ Doping LDD Doping ILD Dep S/D Dep S/D Mask PLN Mask C-ITO Dep C-ITO Mask PVX Dep Via Mask P-ITO Dep P-ITO Mask Anneal Hydrogen CNT Mask GI Dep Activation Vth Doping CVD在整个工艺过程中的位置： CVD工艺介绍 CVD大体反应过程 A-Si 成膜的气体及反应式：SiH4(g) + Ar(g) → a-Si(s) ) ; SiNx成膜的气体及反应式：SiH4(g)+NH3(g) +N2(g) → SiNx(s) +H2(g) ; SiOx成膜的气体及反应式：SiH4(g)+N2O(g) → SiOx(s)+H2(g) +N2(g) . CVD工艺介绍 CVD反应气体流动过程 CVD工艺介绍 RF Power Supply(for Deposition) Fixed Match/VF Gen 13.56MHz Diffuser GlassSubstrate NF3  N2 + FF + Si  SiF4 Adjustable Spacing Susceptor Gas in Slit valve RPSC Spacing (susceptor, diffuser) Gas flow + mixture(diffuser) Pressure Temperature (susceptor) RF power (diffuser) Key Process Variable Parameters: ZFFT POF To pump CVD Chamber内反应过程 CVD工艺介绍 CVD各膜层简介 Layer Thickness 使用气体 描述 Multi A-Si 500Å SiH4+H2 有源层，作为TFT的导电沟道 SIO 3000Å SiH4+N2O 台阶覆盖性强；绝热性能好，在ELA晶化过程中可以减缓a-Si的冷却速率，使晶粒尺寸增大 SIN 1000Å SiH4+NH3+N2 致密性好，防止Glass中的金属离子在热工艺