电沉积WO3薄膜及其光电性能的表征.pdfVIP

第22卷第5期 化 学 研 究 与应 用 Vo1．22，No．5 2010年5月 ChemicalResearchandApplication May，2010 文章编号：1004—1656(2010)05-0550-04 电沉积WO3薄膜及其光电性能的表征 郝金玲，姜春萍，张艳辉，杨 鑫，康 洪，陈金伟，练晓娟，刘尚军，王瑞林。 (I~lJJl大学材料科学与工程学院，四川 成都 610065) 摘要：本文采用电化学法制备了均匀、附着力强的WO，薄膜 ，研究了不同沉积电位和不同的沉积时间对薄膜 的光电性能影响，并使用了XRD，UV．vis，M—s，光电流光谱 (WeE)等分析表征手段对薄膜进行了表征。实验 结果表明，所制得的WO，薄膜为单斜晶系，退火后沿(200)晶面择优生长；对比所有沉积电位，．45V沉积电 位(v8-SCE)所获得的WO，薄膜均匀致密，薄膜的带边在46Orim(一2．7eV)，其光 电转换性能最好；在实验范 围内薄膜越厚，其光电转换性能越好。 关键词 ：氧化钨薄膜；电沉积；光催化分解水 ；光电流光谱 (WCE) 中圈分类号：0611．62 文献标识码：A Electro-depositionandcharacterizationofphotoelectrochemical propertiesofWO3thinflims HAOJin—ling，JIANGChun—ping，ZHANGYah·hui，YANGXin，KANGHong， CHENJinw·ei，LIANXiao-juan，LIUShang-jun，WANGRui—lin (CollegeofMaterialsScienceandEn@neefing，SichuanUniversity，Chengdu610065，China) Abstrsd：WO3thinfilmswereelcetrdeepositedbydifferentpotentialsin(NH．)1Wo|solution．ThefilmsWelt~olmracterizedbyx· raydiffraction。UV-Visabsorptionspectra。M-SplotsandtheincidentpIIotontocurrentefficiency( E)spectra．Theeffectsof differentdepositionpotentialsandtimesofthefilms onthephotceurrentWerestudide．Theoptimizedpotentialw ndat-0．45V VSSCEwheretheprepared thinfilms we他 monoelinicwiththebandgapof2．7 eV．ThehtickertheWO3htin fdmswithinour experimentalconditions。thebetterhtelICE values，htebe stIPCEvalueW衄 about7％ at380nm． Keywords：electrdeeposition，WO，htinfilms，photceatalyticwatersplitting，incidentphoton-to—currentefficiency(IPCE) 半导体光催化水解制氢是 目前最具发展前景 氧化钨薄膜是一种非常重要的功能材料，可 的制氢技术之一，廉价高效半导体光催化剂的研 以作为电致变色材料 】，光学传感器 】，电化学污 制成为 目前太阳光水解制氢的研究热点。自日本 水处理 ]，气敏元件 等。同时W03以其优越的 科学家Fujishima和Honda[2]首次发现TiO2的催化 光催化性能而被关注，它是一种稳定，无毒，成本 水解性能之后，愈来愈多的材料如 Fe：0，，WO3， 低的n型宽禁带半导体材料，不仅能够吸收太阳