高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(下).pdfVIP

维普资讯 趋势急羼 高 材料用作纳米级 MOS晶体管栅介质薄层 (下) 翁妍，汪辉 (上海交通大学 微电子学院，上海200030) 摘要：随着45nm及32nm技术节点的来临，高介 电常数 (hish．k)材料成为代替SiO2作为 栅介质薄层材料的较好选择 ，但是大多数高 k材料是 离子金属氧化物，其基本物理性能和材料 特性不仅导致 了很多不可靠因素 ，还会造成 电学性能的损失。简述 了高 k材料的一些电学性能 以及频率变化的电荷泵技术在高k栅介质薄层探测到的缺陷深度 ，总结 了高 k材料的基本限制及 主要 问题 ，并且介绍 了未来技术节点的可能解决方案。 关键词：栅介质薄层；高介 电常数；电学结果 中图分类号 ：TN304；TN386．1 文献标识码 ：A 文章编号：I(XY3．353X (2008)02-1XI93．05 High-k ReplacementofUltrathinGateDielectricsfor NanoscaleMoSTransistors(11) W engYan，WangHui (SchoolofMicroelectronics，ShanghaiJiaoTongUniversity，Shanghai200030，China) Abstract：Withthecomingof45nm and32nm technology，hish-kmaterialscouldbegoodalternatives ofSi02gatedielectric．Butmostofthehish-kmaterialsareionicmetal oxides．Thefundamental physicsand material properties cause severalundesirable reliba ility problemsas wellas the degradation ofelectrical performance．Th erelationshipsbetweensomeelectrical characteristics，suchasleakagecurrent，mobilityand itsphysics and material propertiesare discussed．Th e detection ofthe defects in hish-k dielectricsby frequencydependent charge pumping technology is introduced．Th e main drawbacks and fundamental limitationsofhish-kgatedielectricare reviewednadthepossiblesolutionsare listed． Keywords：gatedielectricfilm；hish-k； electrical result EEACC：2520 0 引言 1 高 k的一些电学结果 高 k材料因解决了SiO，由于接近厚度极限而 1．1 漏电流 产生的诸多问题 ，成为代替 SiO，的热 门材料 。但 随着 SiO 接近其物理极 限，漏 电流 (主要是 高 k材料 因其基本材料特性 、物理性能 ，导致其 直接隧穿电流)已经大到不能承受的程度。为了在 作为栅介质薄层材料仍存在着很多问题 ，如高界面