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《光电成像导论》 复习提纲 （2017-4-28） 第1章 光电阴极及其半导体物理基础 §1.1 光电发射体的半导体物理基础 1.1.2 载流子复合过程的动力学 总复合包括两个过程： (1) 一个电子从导带中消失（过程a）； (2) 一个空穴从价带中消失（过程c）。 四个过程的几率： 1. 电子的俘获几率ra： (1-1) 2. 电子的发射几率rb： (1-2) 3. 空穴复合率rc： (1-3) 4. 空穴发射几率rd: （1-4） 以上公式的应用范围：非平衡条件和热平衡条件 净复合率V: （1-9） 结论：只有当复合中心处于Eg中心时，净复合率最大。即复合中心提供一些能级，要使这些能级复合最有效，它应平分Eg。 (3) 真实表面的复合 表面的复合率为 （1-17） (a) 对于P型半导体的浅受主 （1-18） (b) 对于n型半导体的浅施主， （1-19） 结论：表面复合速度正比于杂质浓度和表面复合中心密度Nst。 1.1.3 载流子复合－生成中心的来源 1. 来源于晶体的结晶过程 外延生长条件： ① 在气体质量传输限制下进行， ② 基底温度足够高，以改善表面分子的流动性 2. 产生于某些深能级杂质； 3. 产生于辐射损坏 §1.2 半导体表面附近的能带弯曲 1.2.1 P型半导体表面附近的能带弯曲 表面态的电子流向半导体的受主，使表面带正电，半导体表面附近带负电。 电子亲和势的减少量： 结论： 表面态引起P型半导体的能带向下弯曲，降低Ea。对于重掺杂P型GaAs，能带弯曲量为0.45ev。 1.2.2 n型半导体的能带弯曲 结论：n型半导体的表面态引起能带向上弯曲，增大电子亲和势。 1.2.3．Ⅲ-V族半导体表面附近的能带弯曲 （1）异质结假说；（2）表面偶极子层假说；（3）双偶极子层假说。 公认模型： ①GaAs未吸附前，能带弯曲使0.45ev； ②弯曲区突起的高度是5.15ev（从Ev=0算）。 1.2.4 获得负电子亲和势（NEA）的必要条件 只有当(Eg)Ⅲ-Ⅴ0.8ev时，才能使Ea变成“负”。 Ⅲ-Ⅴ族光电发射体的本征阈值波长： (1-33) §1.3 光电发射的基本概念 1.3.1 光电发射中心与光电发射的三个基本过程 1. 光电发射中心 分3类：第1类：本征；第2类：杂质；第3类：自由电子 2．光电发射的三个基本过程 1.3.3 光电阴极的光吸收 ①，本征光吸收，αt随λ的增加而增加； ②；杂质光吸收； ③，自由载流子光吸收。 1. 光电子的逸出深度 (1) NEA的光电子逸出深度L (1-36) (2) PEA的光电子逸出深度 要求能够解释NEA效率明显高于PEA 2. 能量散射机构(4种)： a)自由电子散射；b)电离杂质散射；c)声子散射；d)对生成散射。 要求：能够解释半导体光电发射效率高于金属的效率 对半导体禁带宽度和电子亲和势的要求 §1.4 粒子输运方程 1.4.1 粒子的流密度 (1-39) 对于负电荷的粒子： （1-41） 1.4.2 粒子输运方程 (1-44) 在稳定条件下 (1-45) §1.5 光电阴极的量子产额 单位时间从单位面积上发射的电子数为： (1-46) 1.5.1 光电子的发射概率T（E） （1-49） 2.NEA的T（E） (1-50) 要求：掌握NEA光阴极影响T（E）的主要因素 (2) 反射式负电子亲和势（NEA）光电阴极的量子产额 （1-62） ， (1-63) (3)透射式负电子亲和势（NEA）光电阴极的量子产额 (1-68） 1.5.4 正电子亲和势（PEA）光电阴极的量子产额 1. 反射式正PEA光电阴极的量子产额 (1-75) 2. 透射式PEA光电阴极的量子产额 1-77)