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单片集成低功耗神经信号检测CMOS放大器.pdf

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单片集成低功耗神经信号检测CMOS放大器

第 27 卷  第 8 期 半  导  体  学  报 Vol . 27  No . 8 2006 年 8 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Aug . ,2006 单片集成低功耗神经信号检测 CMOS 放大器 1 1 , 2 2 王余峰  王志功  吕晓迎  王惠玲 ( 1 东南大学射频与光电集成电路研究所 , 南京  2 10096) (2 东南大学生物电子学国家重点实验室 , 南京  2 10096) μ 摘要 : 采用 CSMC 06 m CM OS 工艺设计了可用于植入式神经信号检测的放大器芯片. 电路适用于卡肤电极系 统 ,包括低噪声前置放大级 、由电流模仪表放大器构成的主放大级 、输出缓冲级和恒跨导偏置级. 电路工作于 μ 25V / ±125V , 功耗 180 W . 为满足体内植入式神经信号检测的要求 ,通过电路改进以避免使用片外元件 , 实现了 单片集成. 根据神经信号的特点, 电路频率响应带宽设计为 59 Hz ~128k Hz , 增益 80dB . 采用时域方法测试 , 芯片 达到设计 目标 , 有望用于体内神经信号检测. 依据测试结果分析了电路特性并提出改进方法. 关键词 : 神经信号检测; 神经功能信号再生; 卡肤电极; CM OS 工艺 EEACC : 1220 ; 7510D 中图分类号 : TN 432    文献标识码 : A    文章编号 : 02534 177 (2006) μ 受手术操作影响较大 , 一般在 10 V 量级 ,有时接近 1  引言 mV 级. 电极与神经接 口有高达 1 ~2V 的偏移 电 压. 体内存在强干扰的肌电信号及生物背景噪声 、神 神经损伤后的信号再生与功能重建是生命科学 领域的重要课题之一. 神经损伤后 ,损伤面上下两端 经电极热噪声和放大器的 1/ f 噪声 ,神经信号输入 信噪比约为 - 60dB . 因此神经信号检测电路需具有 的神经元虽然仍可能存活 , 但因神经信息的信道已 低噪声 、高共模抑制的特点 ,如果用于体内植入 ,还 经中断, 使生物体丧失了相关的运动 、感觉功能. 利 需要有较低的供电电压和功耗. 用神经元的电特性 , 可以构思采用植入体内、与中断 已有 文 献 报 道 了数 种 神 经 信 号 放 大 器 芯 的神经相联接的电子装置 , 实现神经信道功能的有 [ 1~4 ] 片[7~9 ] . 由于神经信号处于低频 ,往往只能使用片外 ( ) 源 即具有信号放大和处理的 再生 . 对于脊髓 无源器件进行模拟信号处理 ,才足以实现所需的时 神经 , 其意义更大 , 因为哺乳动物脊髓神经再生极其

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