屏蔽理论及其应用.ppt

第九章 屏蔽理论及其应用 (3) 磁屏蔽材料的频率特性 (4) 磁导率随场强的变化 (5) 屏蔽强磁场时的问题： 加工的影响 圆柱腔的静磁屏蔽效能可分别表示为 满足约束条件──屏蔽体相对磁导率μr1，且大半径、薄壁时的近似 例:钢（steel）、坡莫合金（78 Permalloy）及铁氧体（Maganese-Zinc ferrite），它们的相对磁导率分别依次为500、3000及5000。计算结果示于图 是内半径a=5 mm 时，屏蔽效能随厚度t和相对磁导率μr变化的关系曲线。 表明： 1.磁导率越高，屏蔽效能越大； 2. 屏蔽效能随厚度从零开始增加。但是当厚度增加到某一值时，继续增加屏蔽体厚度屏蔽效能增加非常缓慢。 同一种屏蔽材料 ，不同厚度（平均半径远大于厚度）时屏蔽效能随内半径a变化的关系曲线 在大半径、薄壁条件下： ⑴ 壁厚度比平均半径对屏蔽效能的影响要大； ⑵ 同一厚度时，屏蔽空间的扩大将使屏蔽效能降低。但是，屏蔽效能降低的速率非常慢。 2 低频磁场的屏蔽 低频（100kHz以下）磁场的屏蔽常用高磁导率的铁磁材料（如铁、硅钢片、坡膜合金等），其屏蔽原理是利用铁磁材料的高磁导率对骚扰磁场进行分路。 如果磁路横截面是均匀的，且磁场也是均匀的 Rm为磁路中两点a、b间的磁阻 Um为磁路中两点间的磁位差，φm为通过磁路的磁通量，即 采用高