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带阻式高隔离度场效应管开关 蔡钧 (扬州大学信息工程学院, 225009) 摘 要: 针对典型场效应管开关电路的缺点，提出了一种新的场效应管开关。此开关利用外加的RC网络和场效应管的分布电容构成带阻滤波器，在工作频率上得到了较高的隔离度，而对插入损耗没有影响。仿真结果表明，此方法设计的场效应管开关有着较优的开关性能。 关键词：开关；场效应管；带阻滤波器 中图法分类号：TM44 在无线通信系统中的收发前端，电子开关是一个十分重要的元件，要求断开时有较高的隔离性能，接通时有较低的插入损耗。在个人通信系统中，为了便于集成，在不影响性能的前提下，如何减小开关的体积也是要考虑的一个重要因素。与PIN二极管开关相比，场效应管（FET）开关具有速度高、隔离性能好、功率损耗小等优点，得到了广泛应用。典型的FET开关使用三个FET组成T形或Π形开关电路，这种简单电路结构中，开关的性能完全取决于所用场效应管的参数，受截止时FET漏极-源极之间分布电容的影响，当频率升高时，隔离度随之下降，在不增加FET的情况下，其性能很难进一步提高。 从近年来陆续发表的文献[1~4]看，研究的一个主要方向是用外加的电感和FET的分布电容组成并联谐振电路，达到提高开关断开时的隔离度的目的；文献[1，2]中采用集中参数的电感并接在场效应管的漏极-源极之间，电感和FET的分布电容构成一个并联谐振回路，谐振于开关的工作频率