SiC纳米晶须光致发光研究.pdf

第 22 卷 　第 1 期 发 　光 　学 　报 Vol22 No . 1 200 1 年 3 月 CH IN ESE J OU RNAL OF L U M IN ESCEN CE Mar . , 200 1 SiC 纳米晶须的光致发光研究 1 ,2 1 2 3 张洪涛 , 徐重阳 , 许 　辉 , 朱长虹 ( 1 华中理工大学 电子科学与技术系 , 湖北 武汉 　430074 ; 　2 湖北工学院 电气工程与计算机科学系 , 湖北 武汉 　430074 ; 3 华中理工大学 激光研究院 , 湖北 武汉 　430074) + ( ) 摘要 : 纳米碳化硅晶须作为一维半导体 ,其光学性质一直受到关注 。研究结果显示 ,在 Ar 激光 5 14 5nm 激发下 ,纳米碳化硅晶须室温下发出极其强烈的红光 ,这种发光导致喇曼光散射消失 ,瑞利弹性散射极度减 弱 。由于低维半导体的体表面大 ,对称平移受到一定程度的破坏 ,应该产生大量的缺陷 ,其发光也应该是表面 发光或缺陷发光 。但分析表明这可能是低维半导体碳化硅室温下首次发现的极其稳定的强束缚激子或表面 发光现象 。对其发光机制给予讨论 。并且探讨了合适条件下出现喇曼受激辐射 ,初步认为喇曼散射截面的增 大会促进喇曼受激辐射的产生 。 关 　键 　词 : SiC 纳米晶须 ; 低维半导体 ; 光致发光 ; 量子效应 ( ) 中图分类号 : O472 3 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 200 1 0 1006605 D/ max ⅢB 型 ,透射 电子显微镜为 Philip sBC12 1 　引　　言 型 。室温下测量 。 　　SiC 发光是较早为人们发现的发光现象之 一[ 1 ] 。人们一直对 SiC 在集成电路及光电子学领 3 　结果与讨论 域的应用抱有巨大的希望 。然而 , SiC 作为间接 　　SiC 纳米晶须的 TEM 显微镜照片见图 1 ,全 带隙半导体 ,只在低温下获得它在 480nm 处的弱 部为晶须 ,其中的三角形或不规则形状晶体为晶 蓝色发光[2 ] 。用 SiC 制备的 L ED 发蓝光的量子 须集合体 ,其直径为 2 ～4nm ,长度为 40 ～60nm , 效率为 1 ×10 - 4 % ,发光效率只有 14 ×10 - 6 lm/ 较为均匀 。它的 X 射线衍射图如图 2 所示 ,峰位 W[3 ] ,这个结果令科学界大为失望 。然而纳米晶 很纯 ,且衍射峰宽化 ,表明它为结晶良好 ,纯度极 高的单相β 纳米多晶膜 。 材料的成功制备却给 SiC 在光学通信 、光电子集 SiC 成 、发光器件和显示器件的应用潜力带来了希望 。 纳米 SiC 晶须在紫外光的照射下会发出较强的 460nm 处的蓝光[4 ] 。但用其他类型或波段的激 发光源 ,使 SiC 纳米晶须产生发光现象的研究尚 + ( ) 未见报道 , 今用 Ar 激光 5 14nm 激发纳米 SiC 晶须发出了非常强的红光 , 以下是这一现象的初