高电压技术（律方成）3.pptVIP

主要内容 气体中带电质点的产生和消失 气体放电的一般描述 均匀电场中气体击穿的发展过程 不均匀电场中气体击穿的发展过程 三、均匀电场中气体击穿的发展过程 （二）流注气体放电理论 工程上感兴趣的是压强较高气体的击穿，如大气压强下空气的击穿 特点：认为电子碰撞电离及空间光电离是维持自持放电的主要因素，并强调了空间电荷畸变电场的作用 通过大量的实验研究（主要在电离室中进行的）说明放电发展的机理 电子崩阶段 空间电荷畸变外电场 流注阶段 光电离形成二次电子崩，等离子体 1. 电子崩阶段 电子崩外形： 电子崩中的电子数： n＝e?x 例如，正常大气条件下，若E＝30kV／cm，则? ?11cm-1，计算得到随着电子崩向阳极推进，崩头中的电子数 空间电荷畸变外电场 大大加强了崩头及崩尾的电场，削弱了崩头内正、负电荷区域之间的电场 2. 流注阶段 当电子崩走完整个间隙后，大密度的头部空间电荷大大加强了外部的电场，并向周围放射出大量光子 光子引起空间光电离，其中的光电子被主电子崩头部的正空间电荷所吸引，在受到畸变而加强了的电场中，造成了新的电子崩，称为二次电子崩 正流注的形成 二次电子崩中的电子进入主电子崩头部的正空间电荷区（电场强度较小），大多形成负离子。大量的正、负带电质点构成了等离子体，这就是正流注 流注通道导