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各向异性磁电阻的测量摘要：磁电阻是指在一定磁场下材料电阻率改变的现象，磁性导体的电阻率的变化与磁场方向与导体中电流方向的夹角有关，即具有各向异性，称之为各向异性磁电阻，简记为AMR。本文阐述了各向异性磁电阻（AMR）的物理意义及测量方法，并测定了Fe-Ni薄膜的AMR。关键词：磁电阻，AMR，Fe-Ni薄膜引言一般磁电阻是指在一定磁场下材料电阻率改变的现象。通常将磁场引起的电阻率变化写成Δρ=ρ（H）-ρ（0），其中ρ（H）和ρ（0）分别表示在磁场H中和无磁场时的电阻率。磁电阻的大小常表示为：其中ρ可以是ρ（0）或ρ（H）。绝大多数非磁性导体的MR很小，约为，磁性导体的MR最大为3%~5%，且电阻率的变化与磁场方向与导体中电流方向的夹角有关，即具有各向异性，称之为各向异性磁电阻，简记为AMR。实验原理一些磁性金属和合金的AMR与技术磁化相对应，即与从退磁状态到趋于磁饱和过程的相应的电阻变化。外加磁场与电流方向的夹角不同，饱和磁化时的电阻率不一样，即有各向异性。通常取外磁场方向与电流方向平行和垂直两种情况测量AMR，即有和。若退磁状态下磁畴是各向同性分布的，畴壁散射变化对磁电阻的贡献较小，将之忽略，则与平均值相等。大多数材料，故AMR通常定义为如果，则说明该样品在退磁状态下有磁畴织构，即磁畴分布非完全各向同性。图10.1 - 3是曾用作磁盘读出磁头和磁场传感器材料的的磁电阻曲线，很明显，，各向异性明显。图中双峰是材料的磁滞引起的。图10.1 - 4是一些铁磁金属与合金薄膜的各向异性磁电阻曲线。实验仪器亥姆霍兹线圈，电磁铁，大功率恒流电源，大功率扫描电源，精密恒流源，数字微伏表，四探针样品夹具实验内容一、方法1.将样品切成窄条，这在测AMR时是必需的。对磁性合金薄膜，饱和磁化时，样品电阻率有如下关系:其中θ是磁场方向与电流方向的夹角。为保证电流有一确定方向，常用的方法是：（１）将样品刻成细线，使薄膜样品的宽度远远小于长度。（２）用平行电极，当电极间距远小于电极长度时，忽略电极端效应，认为两电极间的电流线是平行的。2.用非共线四探针法测电阻值，如下图所示。这种方法当数字微伏表内阻很大时，可以忽略探针接触电阻的影响，已在半导体、铁氧体、超导体等的电测量中广泛使用。二、测量测量Fe-Ni薄膜的AMR：(1) 将样品垂直于磁场方向摆放；(2) 打开电源，将精密恒流源调至6 mA，给样品通过恒定电流；(3) 将大功率恒流电源输出电流调至6.00 A，使电磁铁产生磁场；(4) 逐步单向调整大功率恒流电源输出电流至-6.00 A，在此过程中注意找极值点，随时调整电流变化步长，记录调整过程中稳定的电流值和相应的微伏表的电压值；(5) 反向调整大功率恒流电源输出电流由-6.00 A至6.00 A，同上记录数据；(6) 将样品平行于磁场方向放置，重复(3)~(5)，记录数据；(7) 将所有恒流源输出调至零，关闭电源。5.实验数据处理与分析(1)当样品电流与外磁场相互垂直时，U-I曲线为：(2)当样品电流与外磁场相互平行时，U-I曲线为：(3)计算样品的AMR当电源电流按照6A— -6A— 6A变化时，不论电流方向与磁场方向垂直还是平行，图像都会出现双峰，且峰值没有与零点重合，这是由于材料的磁滞现象引起的。由于电流I保持不变，为6mA，电压V的变化亦为电阻R的变化。对于给定的合金材料，在测量中，忽略温度导致的线度改变，可以认为电阻率变化的比值与电阻变化的比值相等同。因此R-H曲线亦可用U-I曲线表示。电流与磁场垂直时，峰值为样品完全退磁时的电阻，即，对应；电阻随磁场变化趋于的稳定值为样品的垂直磁电阻，即，对应。电流与磁场平行时，谷值为样品完全退磁时的电阻，即，对应；电阻随磁场变化趋于的饱和值为样品的平行磁电阻，即，对应。从而可以求得，=6.7285mV，=6.585mV，=6.97mV。相应地就有，，，。继而我们可以算出，，，，6思考题1. 测量AMR后计算出的，是否相同，如不同说明什么问题？答：由数据分析中计算出的值可知，，不同，说明样品在退磁状态下有磁畴织构，即磁畴分布并非完全各向同性，而是各向异性的。4.测量中如何减小热效应对测量的影响？答：1.对测量装置做好散热措施2.尽可能减小测量时通过样品的电流3.尽量在较短的时间内完成实验5. 样品夹具采用材料有何要求？答：材料应该不具有铁磁性，在外加磁场的作用下，其磁性变化应越小越好。7.参考文献[1]黄润生，沙振舜，唐涛等，近代物理实验（第二版），南京大学出版社，2008.8.附录实验原始数据：当样品电流与外磁场相互垂直，6A—-6AI/AU/mV0.886.594-0.796.67166.5370.816.596-0.836.6735.426.540.76.602-0.896.67756.5430.