DDR3基本知识解析.pdf

DDR3 基本知识 一、DDR3 简介 DDR3 （double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。DDR3 在DDR2 的基础上继承发展而来，其数据传输速度为DDR2 的两倍。同时，DDR3 标准可以使 单颗内存芯片的容量更为扩大，达到512Mb 至8Gb，从而使采用DDR3 芯片的内存条 容量扩大到最高16GB。此外，DDR3 的工作电压降低为1.5V，比采用1.8V 的DDR2 省电30%左右。说到底，这些指标上的提升在技术上最大的支撑来自于芯片制造工 艺的提升，90nm 甚至更先进的45nm 制造工艺使得同样功能的MOS 管可以制造的更 小，从而带来更快、更密、更省电的技术提升。 DDR3 的发展实在不能说是顺利，虽然在2005 年就已经有最初的标准发布并 于2007 年应用于Intel P35 “Bearlake”芯片组上，但并没有像业界预想的那样 很快替代DDR2，这中间还经历了对SDRAM 业界影响深远的金融危机，不但使DDR3 占领市场的速度更加减慢，还使DDR3 在技术上一度走在世界领先地位的内存大厂奇 梦达倒闭，实在是让人惋惜。虽然如此，DDR3 现今是并行SDRAM 家族中速度最快的 成熟标准，JEDEC 标准规定的DDR3 最高速度可达1600MT/s （注，1MT/s 即为每秒钟 一百万次传输）。不 如此，内存厂商还可以生产速度高于JEDEC 标准的DDR3 产品， 如速度为2000MT/s 的DDR3 产品，甚至有报道称其最高速度可高达2500MT/s。 二、DDR 存储器特性 1) 时钟的上升和下降沿同时传输数据 DDR 存储器的主要优势就是能够同时在时钟循环的上升和下降沿提取 数据，从而把给定时钟频率的数据速率提高1倍。例如，在DDR200 器件中，数据传 输频率为200 MHz，而总线速度则为100 MHz。 2) 工作电压低 DDR1、DDR2 和DDR3 存储器的电压分别为2.5、1.8 和1.5V，因此与采 用3.3V 的正常SDRAM 芯片组相比，它们在电源管理中产生的热量更少，效率更高。 3) 延时小 延时性是DDR 存储器的另一特性。存储器延时性可通过一系列数字体 现，如用于DDR1 的2-3-2-6-T1、3-4-4-8 或2-2-2-5。这些数字表明存储器进行某 一操作所需的时钟脉冲数，数字越小，存储越快。 这些数字代表的操作如下：CL- tRCD –tRP –tRAS –CMD。要理解 它们，您必须牢记存储器被内部组织为一个矩阵，数据保存在行和列的交叉点。 •CL：列地址选通脉冲 （CAS）延迟，是从处理器发出数据内存请求到存储 器返回内存间的时间。 •tRCD：行地址选通脉冲 （RAS）到CAS 的延迟，是激活行（RAS）和激活 列 （CAS）间的时间，其中，数据保存在矩阵中。 •tRP：RAS 预充电时间，是禁用数据行接入和开 另一行数据接入间的时 间。 •tRAS：激活预充电延时，是在启动下一次存储器接入前存储器必须等待 的时间。 •CMD：命令速率是存储芯片激活和向存储器发送第一个命令间的时间。有 时，该值不会公布。它通常是T1 （1 个时钟速度）或T2 （2 个时钟速度）。 三、内存的工作速度 内存技术从SDR，DDR，DDR2，DDR3 一路发展而来，传输速度以指数递增， 除了晶圆制造工艺的提升因素之外，还因为采用了Double Data Rate 以及Prefetch 两项技术。实际上，无论是SDR 还是DDR 或DDR2、3，内存芯片内部的核心时钟 本上是保持一致的，都是100MHz 到200MHz （某些厂商生产的超频内存除外）。DDR 即Double Data Rate 技术使数据传输速度较SDR 提升了一倍。如下图所示，SDR 在时钟的上升沿传输数据，而DDR 在时钟信号上、下沿同时传输数据。例如同为 133MHz 时钟，DDR 却可以达到266Mb/s 的数传速度。 Double Data Rate 技术使数据外传速度提升了一倍，而芯片内部数 据数据传输速度的提升