三氯氢硅中痕量杂质、硼杂质的化学光谱检测.pptVIP

三氯氢硅中痕量杂质、硼杂质的化学光谱检测 LOGO Table of Contents 一、采样及样品处理： 1、采样：SiHCl3 2、样品处理： SiHCl3 高纯水 二、检测依据及设备： 1、检测依据： DB/T6618-1995 二、检测依据及设备： 2、检测设备： PGS-2平面光栅光谱仪 测痕量杂质的摄谱仪 分析硼的摄谱仪 三、检测原理及作业指导书： （一）、三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定： 1、检测原理： SiHCl3中痕量杂质是指Mn、Fe、Ni、Ti、Mg、Al、Pb、Ca、Cr、Cu、Su、Zn等金属杂质。对这些杂质的分析采用蒸发法。 蒸发法就是用微量的高纯水与SiHCl3作用产生少量SiO2水解物,SiO2对痕量杂质元素有吸附作用,基体在常温下用纯净氮气作载气进行慢挥发,残留的SiO2用氢氟酸蒸气溶解除去,残渣用盐酸溶解,用溶液干渣法光谱测定。本方法适用于测定杂质含量在10-6～10-8%的样品。 2、主要试剂和仪器: （1）.氢氟酸、（2）.盐酸、（3）.铍内标KCl载体混合溶液、（4）.杂质标准溶液的配制 三、检测原理及作业指导书： （二）、三氯氢硅中硼的分析： 1、检测原理： 三氯氢硅中的硼的分析采用自然挥发法。 自然挥发法是根据三氯氢硅部分水解物能吸附杂质的实践,使三氯氢硅中杂质硼被部分水解物吸