第2章 放大电路基础.ppt

第2章 放大电路基础 2.1 晶体管 知识点 （1）晶体管的基本特性、工作状态和主要参数。 （2）晶体管三种工作状态的偏置条件及判断。 技能点 （1）会测试及选择常用的晶体管。 （2）能够熟练判断晶体管的工作状态。 2.1.1 晶体管简介 晶体管即半导体三极管（俗称三极管），是电子电路中最常用的半导体器件之一，一些常见晶体管的外形如图2-1所示。晶体管的种类很多，按管芯材料分有硅管和锗管；按工作频率分有高频管、低频管；按功率分有小、中、大功率管；按工作状态分有放大管和开关管；按内部结构分有NPN和PNP两种类型。 以晶体管VT为核心组成的放大电路的仿真电路如图2-3所示，示波器显示了放大电路的输入信号ui（通道A）、输出信号uo（通道B）的波形和相关数据。 2.1.2 晶体管的基本特性 1、晶体管的放大状态 在图2-3中所示的电路，外加的偏置电压是使得晶体管的发射结正偏（UBE≈0.65V）、集电结反偏（UBC=UBE-UCE≈－5.25V）。为了进一步探讨晶体管的基本特性，下面对图2-4所示的晶体管特性仿真电路的实验数据进行分析（以NPN型硅管为例）。 调节可变电阻RP，由各个电流表可测得相应的IB、IC、IE，如表2-1所示。 由此可得出 IC≈βIB （2-2） IE =（1+β）- IB （2-3） （3）结论： 1）工作在放大状态的晶体管具有电流放大作用，IC是IB的β倍。β反映了晶体管的电流放大能力。 2）IB的微小变化能引起IC的较大变化，通过IB来控制IC，可实现小电流（小信号）控制大电流（大信号）的目的。所以，晶体管是一种电流控制型器件。 注意：晶体管不能产生电流，电路中的电流是由直流电源提供。 2.1.3 晶体管的特性曲线和主要参数 1、晶体管的特性曲线 晶体管的特性曲线是指各电极间电压和电流之间的关系曲线。晶体管的特性曲线通常用专门的特性图示仪直观显示。NPN型硅管典型的特性曲线如图2-6所示。 1、输入特性曲线 指当集电极与发射极之间电压uCE为常数时，输入回路中的基极电流iB与基-射电压uBE之间的关系曲线，如图2-6a所示。 它类似二极管正向特性曲线：硅管死区电压约为0.5 V（锗管的约为0.1V）；发射结正常导通时，常温下硅管的导通电压uBE约为0.7 V（锗管的uBE约为0.3V）；且当uCE＞1V后，输入曲线基本与uCE无关。 2、输出特性曲线 指当iB为常数时，输出回路中的iC与uCE之间的关系曲线，由不同的iB可得出不同的曲线，故晶体管的输出特性是一组曲线，如图2-6 b所示。通常将输出特性曲线划分成三个区域（即晶体管的三种工作状态）。 （1）放大区 输出曲线近于水平的区域为放大区，也称线性区。此时晶体管的发射结正偏，集电结反偏。晶体管工作在放大状态，具有恒流特性：iC=βiB，iC仅受iB控制，与uCE基本无关。 偏置： NPN型 UC＞UB＞UE（集电极电位最高、发射极电位最低）； PNP型 UC＜UB＜UE（发射极电位最高、集电极电位最低）。 （2）饱和区 uCE＜uBE时的区域称为饱和区。此时的发射结和集电结均为正偏。晶体管进入饱和状态后，iB失去了对iC正常的控制作用，iC≠βiB。 此时对应的uCE值称为饱和压降，用uCES表示。硅管的uCES约为0.3V，锗管的约为0.1V，一般都可认为uCES≈0。此时晶体管的c-e之间相当于短路，等效于一个开关闭合。 偏置： NPN型 UC ＜UB、UB＞UE（基极电位最高）； PNP型 UC ＞UB、UB ＜UE（基极电位最低）。 （3）截止区 iB = 0以下的区域称为截止区。此时的发射结零偏或反偏，集电结反偏。晶体管进入截止状态，iB = 0， iC = ICEO ≈0，其中的ICEO称为穿透电流（一般可忽略）。 此时晶体管的c-e之间相当于开路，等效于一个开关断开。为了使截