第3章、集成电路器件模型报告.pptVIP

* MOSFET三级模型 又称MOS3模型，MOS3模型是一个半经验模型，适用于短沟道器件。 精确描述各种二级效应, 又节省计算时间。计算公式中考虑了 漏源电源引起的表面势垒降低而使阈值电 压下降的静电反馈效应. 短沟道效应和窄沟道效应对阈值电压的影响. 载流子极限漂移速度引起的沟道电流饱和效应 表面电场对载流子迁移率的影响. 沿沟道方向(Y方向)的阈值电压半经验公式: * MOSFET三级模型——半经验短沟道模型(Level=3) * 半经验短沟道模型(Level=3)(续) 静电反馈系数? ETA是模拟静电反馈效应的经验模型参数. 载流子?s随VGS而变化 THETA称之为迁移率调制系数, 是模型参数. 沟道长度调制减小量?L的 半经验公式为: k称之为饱和电场系数, 模型参数为KAPPA. 与MOS2模型相比， MOS3模型引入三个新的模型参数为:ETA, THETA, KAPPA。除此之外, MESFET三级模型中的阈值电压, 饱和电压, 沟道调制效应和漏源电流表达式等都是半经验表达式. * MOSFET49级模型(Level=49, BSIM3V3—— Berkeley short-chann