第1章半导体器件基础报告.ppt

* * * * * * * * * * 2.N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。 定义： 夹断电压（ UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。 * * N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线 1 GS u 0 1 D (V) -1 2 -2 (mA) 4 3 2 i 4 2 u u 3 10V =+2V 1 DS GS D (mA) i = -1V u GS GS GS =0V =+1V u u (V) = -2V＝UP GS u UP * * 3、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 * * * * 表1―2 各种类型的FET的特性 * * 表1―2 各种类型的FET的特性 4. MOS管的主要参数 （1）开启电压Uth （2）夹断电压UP （3）跨导gm ：gm=?iD/?uGS? uDS=co