第1章半导体分立器件报告.ppt

第一章 半导体器件及基本电路 三、杂质半导体 当反向电压UUBR时，反向电流急剧增大，称之为反向击穿。击穿机理有两种： 齐纳击穿: 高掺杂的情况下，耗尽层很窄，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，直接破坏共价键，产生大量电子空穴对，电流急剧增大。 雪崩击穿： 低掺杂的的情况下，耗尽层较宽，当反向电压增加到较大数值时，耗尽层电场使少数载流子加快速度，撞击共价键，产生大量电子空穴对，电流急剧增大倍，（增效应） + + - R u R V E u i B - C 1 + CC o T R L 2 C + - R S S u 三. 射极输出器： 1、射极输出器： 共集电极 放大电路 + + - R u R V E u i B - C 1 + CC o T R L 2 C + - R S S u IB IE UBE UCE 2.静态工作点分析： （1）微变等效电路 + + - R u R V E u i B - C 1 + CC o T R L 2 C + - R S S u · RE IE RS rbe RL B C E 3.动态分析： · RE Ie RS rbe RL B C E (2)电压放大倍数： ≈ 1 } R ) 1 ( r //{ R L be B ? b + + ri = (3)输入电阻: (4)输出电阻: B s s R // R R =