HT8MCU内建EEPROM应用须知.PDFVIP

HT8 MCU 内建EEPROM 应用须知 HT8 MCU 内建EEPROM 应用须知 文件编码：AN0408S 简介 HOLTEK 8-bit Flash MCU 一般都有内建EEPROM 数据储存器，由于为非挥发性结构，可 在电源消失时，EEPROM 里的数据不会丢失，常用于保存用户数据、产品ID 等。HOLTEK 内建EEPROM 的容量，分别有32、64、128、256 、512、1024 Bytes 等多种规格，可满足 用户各类应用需求。本文主要描述了HOLTEK MCU 内建EEPROM 的特性、读/写方法、数 据写保护等，希望能给用户带来帮助。 功能说明 内置EEPROM 的读写 在目前常见的内置EEPROM 的MCU 中，用户通过编写程序，设定MCU 与EEPROM 相关 的寄存器，启动读/写时序来完成以Byte 为单位的 EEPROM 数据读写。以内置 512 Bytes EEPROM 的HT66F007 为例，与EEPROM 相关的寄存器如下所示： Bit Register Name 7 6 5 4 3 2 1 0 EED D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 EEA D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 EEAH — — — — — — — D8 EEC — — — — WREN WR RDEN RD EED 8-bit ，数据寄存器，位于RAM Bank0 中，读写时，往EED 写入目标数据或从EED 读出 数据。 EEA 8-bit ，地址寄存器，位于RAM Bank0 中，当EEPROM 容量大于256 Bytes 时，EEA 为 低位地址寄存器。 EEAH 8-bit ，地址寄存器，位于RAM Bank0 中，存在于内建容量大于256 Bytes 的MCU ，EEAH 为高位地址寄存器。 EEC 8-bit ，控制寄存器，位于RAM Bank1 中，用于使能读写动作、启动读写时序。 EEA 和EED 位于BANK0 中，它们能够直接被访问，而EEC 位于BANK1 中，只能通过间 接寻址指来读/写数据。 AN0408S V1.00 1 / 8 2016-01-25 HT8 MCU 内建EEPROM 应用须知 读写EEPROM 时，需要注意的是： 1. 内建EEPROM 储存的初始值为0xFF，写入数据时，MCU 硬件自动先擦除EEA 指向地 址的数据 (变为0xFF)，然后再写入新的数据。 2. 内置EEPROM 的写操作要求_WRE