单片硅微测辐射热计阵列2.ppt

第三章 单片硅微测辐射热计阵列 §3.5 微辐射计阵列的读出电路 单片读出电路 微辐射计的读出电路的一般形式 64×64的阵列 实际应用中困难 实际应用中困难 解决方法 240×336的改进 讨 论 阵列的非均匀性 阵列非均匀性定义 阵列非均匀性产生原因 具体分析原因 产生的影响 产生的影响 §3.6　补偿方案 1 加斩波器法 2 加光闸法 两法的异同点 探测器非均匀性 探测器非均匀性定义 探测器非均匀性校正 探测器非均匀性校正 探测器非均匀性校正方法 两点温度校正法（TPC） 校 正 实 现 实 现 §3.7 增益纠正 TEC 的介绍 TEC 的性质 TEC原理框图 §3.8 调制传递函数（MTF） MTF的定义 MTF的测试方法 §3.9 微辐射计物理设计，制备以及封装 ⒈“一层”微辐射计 ２. 两层微辐射计 单层微辐射计的主要缺点 两层微辐射计的改善 双层微辐射计制造步骤 实现高IR吸收率的方法 两维阵列的显微图像 一个典型的IR成像 Ti电阻材料的两层单元设计 3. 组 装 低空气压力获得 一个密封的真空包装设计结构 其他实现方法 §3.10 实际摄像仪的发展 ?一个240×336的两层的微辐射计阵列 ?一个两层的微辐射计阵列的封装 一个240×336的两层的微辐射计阵列原型图 一个两层的微辐射计阵列的封装 四英寸直径的硅晶片上的12个240×336的两层的微辐射计阵列 阵列大小 240×360 像素尺寸 50*50微米2 设计 两层 桥路 35微米×35微米×0.8微米Si3N4 腿 50微米×2微米×0.8微米Si3N4 填充因子 0.70 封装 真空 热稳定装置 热电稳定器 标准工作温度 25℃ 热容 3×10-9J/K 真空中的热导 2×10-7W/K 时间常数 15ms 吸收器 平均80﹪,8-14微米 TCR 材料 VO500?,TCR 为－0.023K-1 读出电路 脉冲常压，14个像素平行，14个双极前置放大器 像素的阻抗值 20KΩ 场速 30Hz 帧速 30Hz 补偿偏移量 间歇的光闸 偏置