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模拟CMOS集成电路设计 第2章 CMOS器件物理基础 谈俊燕 本章重点 一 •• 基本概念基本概念 二 ••MOS的I/V特性MOS的I/V特性 三 •• 二级效应二级效应 四 ••MOS器件模型MOS器件模型 五 •• 小结小结 第2页 一 • 基本概念 2.1.1 MOSFET 的结构 栅长L ，栅宽W ，氧化层厚度tox L = L +2L drawn eff D 本课中 Leff≈ 0,15um, tox ≈ 5nm 2014年1月 第3页 一 • 基本概念 2.1.1 MOSFET 的结构  D，G