晶闸管可控单向导电性测试.doc

  1. 1、本文档共10页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
晶闸管的可控单向导电性测试 ? 授 课 日 期 2007、03、14 教 师 姓 名 戴春芳 教 师 姓 名 张 玉 梅 学 时 2学时(80分钟) 培 训 班 培 训 班 性 质 电 工 取 证 授课地点 机 控 05 教 学 科 目 半导体变流技术 项目名称 晶闸管的可控单向导电性测试 课 型 授课与实验相结合 知识目标 通过教学使学生理解和掌握晶闸管的原理和测试方法 能力目标 使学生在工作中能够熟练、规范、安全地使用万用表与示波器 德育目标 培养学员严谨的工作作风,从而提高工作效率,为安全生产提供保障 教学重点 利用万用表测试晶闸管及利用示波器进行波形分析 教学难点 万用表测试晶闸管的好坏 空 白 点 1、万用表测试电阻时内部电阻和电压如何分配? 2、×1档、×10档、×10K档时换算公式如何? 3、学生在做测量实验时出现或可预见的一些问题。 教学方式 讲授:探究体验式、Microsoft PowerPoint 晶闸管的可控单向导电性测试 晶闸管的结构 二、导通与关断条件 三、万用表测电阻 四、导电性测试 1、内部结构 1、导通条件 1、门极与阴极间 1、电路接线 P1N1P2N2 2、关断条件 2、极间电阻 2、关断实验 2、外部极性 3、鉴别管子好坏 3、波形分析 阳极A 阴极K 门极G 教 学 过 程 通过学的,从而自然地切入新课教学 揭示课题 新授内容 (45分) 引言:它是信息产业和传统产业之间的主要接口,是弱电控制和被控强电之间的桥梁,那就是电力半导体器件,其功能是对电能的整流、逆变、斩波、变频、开关的控制,在工业应用中较为普遍。 电力半导体器件的种类有晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘门极晶体管等,结合国情,我们以晶闸管的应用为主。 现以普通晶闸管为例,介绍它的结构组成和它的使用测试。 晶闸管的可控单向导电性测试 【教师活动】 1、介绍本节课的知识结构 1、晶闸管的内部结构 可控单向导电性 2、导通与关断条件 3、万用表测电阻 4、导电性测试 2、技术的发展前沿 电力电子重点研发四个方面?   为适应形势发展需要,今年电力电子行业将加大技术创新力度,突破关键技术,下大力对市场前景看好、能代表当今技术水平的4大类电力电子器件的研究开发:加速开发高档大功率晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管、高频晶闸管、逆导晶闸管等高新技术产品,急需突破高压器件设计、高压扩散技术、表面造型保护技术和全压接等关键技术;加速开发IGCT产品,急需解决GCT的设计、均匀扩散技术,透明发射极制造技术,精密光刻挖槽技术,表面造型及保护等技术;加速开发技术难度大、工艺装备复杂的IGBT产品,将大规模集成电路制造技术和大功率电力电子技术紧密结合在一起,所要突破的是高压器件的设计技术、高压场环技术和IGBT的芯片封装与测试技术;加速开发大功率快速软恢复二极管,尽快解决具有自建电场的杂质浓度分布扩散技术、电场截止基区厚度及杂质分布控制技术等难题。?】 1、鉴别晶闸管的好坏 用万用表R×1K的电阻档测量两只晶闸管的阳极(A)与阴极(K)之间以及用R×10或R×100档测量两只晶闸管的门极(G)与阴极之间正反向电阻并将所测数据填入表中以判断被测晶闸管的好坏。 被测晶闸管 RAK RKA RGK RKG 结论 VT1 VT2 2、测量晶闸管门极与阴极之间正向电阻时,有时会发现表的旋钮放在不同电阻档的位置,读出的RGK欧姆值相差很大。在测试晶闸管各极间的阻值时其旋钮应放在同一档测量为准。 3、测量晶闸管门极与阴极之间正反向电阻时,旋钮放在R×10档时发现有的管正反向电阻很接近,约为几百欧姆。出现这现象还不能判断被测管已损坏,而要留心观察正反向电阻虽然很接近,只要正向电阻值比反向电阻值小一些,一般

文档评论(0)

kehan123 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档