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沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 功率 MOSFET 的基本知识 自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高： 如高压功率 MOSFET 其工作电压可达 1000V；低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOmΩ；工作频率 范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近开发的厚度为 1.5mm“Little Foot系列)。另外，价格也不断降低，使应用 越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。 功率 MOSFET 主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC／DC 变 换器、DC／DC 变换器)、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。 本文将介绍功率 MOSFET的结构、工作原理及基本工作电路。 什么是 MOSFET： “MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写，译成 中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2 或SiN)及半导体三种材 料制成的器件。所谓功率 MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十 安)，用于功率输出级的器件。 MOSFET 的结构： 图 1 是典型平面 N 沟道增强型 MOSFET 的剖面图。它用一块 P型硅半导体材料作衬底(图 la)，在其面上扩散了两个 N 型区(图lb)，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiQ2)绝缘层(图 lc)， 最后在 N 区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成 三个电极：G(栅极)、S(源极)及 D(漏极)，如图 1d 所示。 从图 1 中可以看出栅极 G 与漏极 D 及源极 S 是绝缘的，D 与 S 之间有两个 PN 结。一 般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。 图 1 是 N 沟道增强型 MOSFET 的基本结构图。为了改善某些参数的特性，如提高工作 电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有不同的结构及工艺，构成所谓VMOS 、 DMOS 、TMOS 等结构。图 2 是一种 N 沟道增强型功率 MOSFET 的结构图。虽然有不同的 结构，但其工作原理是相同的，这里就不一一介绍了。 1 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 MOSFET 的工作原理： 要使增强型 N 沟道 MOSFET 工作，要在 G、S 之间加正电压 VGS 及在 D 、S 之间加正 电压VDS ，则产生正向工作电流 ID 。改变VGS 的电压可控制工作电流ID 。如图3 所示（上 面↑）。 若先不接 VGS( 即VGS ＝0)，在 D 与 S 极之间加一正电压 VDS ，漏极 D 与衬底之间的 PN 结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极 G 与源极 S 之间加一电压 VGS 。此 时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上 VGS 时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和 P 型衬底界面上感应出负电 荷(如图 3) 。这层感应的负电荷和P 型衬底中的多数载流子(空穴) 的极性相反，所以称为“反 型层”，这反型层有可能将漏与源的两N 型区连接起来形成导电沟道。当 VGS 电压太低时， 感应出来的负电荷较少，它将被 P 型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍 然无电流 ID 。当VGS 增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的 N 区沟通形成 N 沟 道，这个临界电压称为开启电压(或称阈值电压、门限电压) ，用符号VT 表示(一般规定在 ID ＝10uA 时的 VGS 作为 VT) 。当VGS 继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低， ID 也随之增加，并且呈较好线性关系，如图 4 所示。此曲线称为转换特性。因此在一定范 围内可以认为，改变VGS 来控制漏源之间的电阻，达到控制 ID 的作用。 由于这种结构在 VGS ＝0 时，ID ＝0，称这种 MOSFET 为增强型。另一类 MOSFET ，