利用原子力显微镜制备短沟道有机场效应晶体管器件的研究.PDFVIP

光 电 子 ·激 光 第 23卷 第 12期 2012年 12月 JournalofOptoelectronics·Laser Vo1．23No．12 December2012 利用原子力显微镜制备短沟道有机场效应晶体 管器件的研究 张 达 ，赵 恺 ，邓家春 (1．天津理工大学 材料物理研究所 ，天津 300191；2．天津理工大学 理学院，天津 300191) 摘要 ：利用原子力显微镜 (AFM)探针直写技术制备了短沟道并五苯有机场效应 晶体管 (OFET)， 并研究了器件性能 。在 SiO2／n+一Si基底上 ，利用 AFM 探针刻蚀金沟道 ，通过优化工艺参数 ，获得 的沟道长约 1 m，器件的场效应迁移率为 0．038cm2·V_l·s_。，开关比为 103，输出电流最高可 达 200 A。结果表 明，器件性能强烈依赖于沟道长度 ，随着沟道长度减小 ，输 出电流显著增加 。 关键词 ：有机场效应 晶体管 (OFET)；原子力显微镜(AFM)探针直写；并五苯 ；短沟道 中图分类号 ：TN321 文献标识码 ：A 文章编号 ：1005—0086(2012)12—2273—04 Fabricationandcharacteristicsofshort-channelorganicfield-effect transistorsbyatomicforcemi croscopylithography ZHANGDa，ZHA0Kai，DENGJia-chun2 (1_InstituteofMaterialPhysics，TianjinUniversityofTechnology，Tianjin300191，China；2．CollegeofScience， TianjinUniversityofTechnology，Tianjin300191，China) Abstract：Inthispaper，wepresentatomicforcemicroscope(AFM)lithographyforfabricatingshorv channelorganicfield-effecttransistors(OFETs)．TheAugapisobtainedbydirectmaterialscratchingon Si02／n+一Sisubstrate，resultinginachannellengthofabout1 m．Byusingpentaceneasthesemicon— ductormateria1．thefield-effectmobilityandtheon／offratioare0．038crnz·V一1·S～ and103，re— spectively，andtheoutputcurrentachievesashighas200 八 Theelectricalcharacteristicsoftheorganic field-effecttransistorsstronglydependonthechannellength．Moreover，thesource-draincurrentissig— nificantlyimprovedbyreducingthechannellength． ’ Keywords：organicfieleffecttransistor(OFET)；atomicforcemicroscopy(AFM)lithography；penta— cene：shorvchannel 原子力显微镜 (AFM)直写技术 由于综合 了 1 引 言 实时成像和操作简单 的特点而引起极大 的研究兴 近年 ，有机场效应晶体管 (OFET)因其材料来 趣 。以往