报告题目后硅时代的电子学从硅到碳报告人北京大学电子学系彭练.PDFVIP

报告题目： 后硅时代的电子学 ：从硅到碳 报 告 人： 北京大学电子学系 彭练矛教授 报告时间 ：2009 年 11 月9 日（周一）下午4:00 报告地点 ：教12-201 彭练矛教授简介： 1982 年毕业于北京大学电子学系 ；1983 获北京大学硕士学位 ；1983-1988 ：通过 CUSPEA 计划赴美,亚利桑那州立大学美国国家高分辨电子显 微学中心博士课程， 于1988 年获博士学位。1988 年至 1989 年在挪威Oslo 大学物理系做博士后研究 ； 1989 年至 1990 年在英国牛津大学材料系 做博士后研究。 1990 年至 1995 年：牛津大学 Violette and Samuel Glasstone Research Fellow 1995 年至2002 年：中科院物理研究所研究员 1999 年至今 ：北京大学纳米科学与技术长江特聘教授 担任职务 ： 北京大学物理电子研究所所长 ；教育部纳米器件物理和化学重点实验室主任 ； 北 京大学学位评定委员会委员 ；信息科学技术学院学位分委员会副主任 ； 中国电子 显微镜学会副理事长 ；中国仪器仪表学会 微纳器件与系统技术分会副理事长 ； 国际晶体学会电子衍射委员会委员 ；国际 MICRON, Ultramicroscopy 等杂志编委会成员。 报告摘要 ： 信息技术的基础是微电子集成电路的发展。微电子始于40 年前美国Bell 实验室肖 特里、巴丁等人关于晶体管的发明。之后微电子特别是硅基CMOS 集成电路 技术 在硅谷等地得到了奇迹般的发展，造就了包括Intel 在内的众多顶级高科技公司， 为美国近40 年的经济繁荣做出了不可磨灭的功绩。然而传统硅基 CMOS 技术在 2020 年左右将达到其性能极限，目前即将面临重大选择。特别是高k 和纳米材料 的发展引发了是否可以放弃硅材料的讨论。虽然目前还没有关于 后摩尔时代 CMOS 技术如何发展的定论，但最新的关于碳纳米管和半导体纳米线的研究表明 我们可以利用一维纳米材料特殊的性能，包括非平衡、量子、弹道输运 等特点， 绕过目前纳电子集成电路所面临的极为困难的技术问题，如器件加工精度，掺杂的 数目和稳定性的控制等困难，制备出性能均匀的简单CMOS 电路。这些 进展为进 一步的规模集成基于纳米材料的纳电子电路奠定了基础。本报告将简单地回顾一下 基于一维纳米材料特别是碳纳米管的CMOS 技术的发展，目前所面临的 困难，以 及可能的解决途径以及展望。