氢化物气相外延生长GaN膜性质研究.PDF

34 12 2013 23 (44) 年第 期 卷 文章编号:100 1-9731 (20 13)23-34 12-04 * 氢化物气相外延生长 GaN 膜性质研究 1 1 1 2 2 2 ， ， ， ， ， 刘战辉 张李骊 李庆芳 修向前 张 荣 谢自力 (1． ， 210044 ; 南京信息工程大学物理与光电工程学院 江苏南京 2 ． ， 210093) 南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室 江苏南京 : c 的生长方法。 、 、 摘 要 利用氢化物气相外延技术在 面蓝宝石上 该方法具有设备简单 生长成本低 无碳 GaN 。 X 、 ( 生长得到纤锌矿结构 膜 采用高分辨 射线衍 污染 生长速度快 速率最高可以达到数百微米每小 、 GaN ) ， GaN 射 拉曼光谱和光致发光谱对 外延膜进行了结构 时 等优点 并且生长的 厚膜具有高质量的晶体 ， 。 ，HVPE 表征和光学性质研究 重点探讨了光致发光谱的温度 品质和优异的光电特性 因此 技术已经成为 。 (002) (102) GaN ［7］。 ， 变化特性 样品 面和 面摇摆曲线半高宽 外延生长 材料的有效手段 目前 国内对 322 375 arcsec ， GaN HVPE GaN ， ［8］ 分别为 和 表明生长的 膜具有较好 生长 材料已有相关研究报道 颜怀跃等 。 X 、 Si (111) AlN HVPE 的晶体质量 高分辨 射线衍射 拉曼光谱和光致发 研究了在 衬底上生长 缓冲层利用 ， 0 ． 26 GPa GaN 。 ［9］ ZnO 光谱测试表明 外延膜中存在 的面内压应 制备高质量 厚膜 何建廷等 报道了以 为 。 GaN A Si (111) 力 变温光致发光谱研究发现