氧化锌材料p型掺杂研究进展-西华师范大学.PDFVIP

第３７卷 第 １期 西 华 师 范 大 学 学 报 （自然 科 学 版 ） ２０１６年３月 　 Ｖｏｌ３７ Ｎｏ１ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＣｈｉｎａＷｅｓｔＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅｓ） Ｍａｒ．２０１６ 文章编号：１６７３５０７２（２０１６）０１０００１０９ 氧化锌材料ｐ型掺杂研究进展 １，２ １，２ １，２ １，２ ３ １，２ 谭　蜜 ，张　红 ，李万俊 ，秦国平 ，阮海波 ，孔春阳 （１．重庆师范大学 物理与电子工程学院，重庆　４０１３３１；２．重庆市光电功能材料重点实验室，重庆　４０１３３１； ３．重庆文理学院 新材料技术研究院，重庆　４０２１６０） 摘　要： 氧化锌（ＺｎＯ）是 ＩＩＶＩ族直接带隙化合物半导体材料，室温下禁带宽度为 ３．３７ｅＶ，激子束缚能高达 ６０ ｍｅＶ，是制造蓝紫外发光、探测以及激光器件的理想材料。高质量 ｎ型和ｐ型ＺｎＯ以及同质 ｐｎ结的制备是实现器 件化的关键。目前，ｎ型ＺｎＯ的制备技术已趋于成熟，但高质量稳定的ｐ型 ＺｎＯ的缺乏已成为制约其器件化的瓶 颈。在过去的十余年里，通过国内外科研工作者的不懈努力，在理论和实验上都取得了显著的成果。本文主要概 述了ＺｎＯ材料的ｐ型掺杂、ｐ型导电机制以及 ｐＺｎＯ基光电器件的研究进展，同时初步探索了ＺｎＯ材料 ｐ型导电 稳定性问题。 关键词： ＺｎＯ；ｐ型掺杂；ｐ型导电机理；光电器件；稳定性 中图分类号：Ｏ４７２；Ｏ４８４　　　文献标志码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．１６２４６／ｊ．ｉｓｓｎ．１６７３５０７２．２０１６．０１．００１ ０　引　言 以ＧａＮ为代表的第三代宽带隙半导体材料的发展，导致了固态照明、短波长半导体激光以及紫外探测 等领域迅速崛起。与 ＧａＮ相比，原材料丰富的ＺｎＯ具有相近的禁带宽度（室温下为３．３７ｅＶ），更大的激子 ［１］ 结合能（６０ｍｅＶ，约为 ＧａＮ的２．５倍），有望实现室温激子型发光器件和低阈值激光器件 。１９９７年，中国 ［２］ 香港和日本科学家报道了ＺｎＯ薄膜室温下光泵浦近紫外激光发射 ，同年，国际权威期刊《Ｓｃｉｅｎｃｅ》以“Ｗｉｌｌ ［３］ ＵＶＬａｓｅｒｓＢｅａｔｔｈｅＢｌｕｅｓ？”为题对该工作给予了较高评价 ，ＺｎＯ在短波长光电领域展现出的巨大应用潜力 吸引了国内外科学家们的广泛关注。然而， ＺｎＯ由于掺杂呈现非对称性，容易获得高质量的ｎ型 ＺｎＯ，而高 效的ｐ型ＺｎＯ却难以实现。直到２００４年，《ＮａｔｕｒｅＭａｔｅｒｉａｌ》上报道了日本东北大学材料研究所 Ｋａｗａｓａｋｉ研 ［４］ 究组在 ＳｃＡｌＭｇＯ 衬底上利用 ＬＭＢＥ技术首次成功制备 ＺｎＯ基 ｐｉｎ结发光二极管 ，极大鼓舞了国内外 ４ 研究者，掀起了新一轮的ＺｎＯ研究热潮。纵观国际上长达 １０余年的ｐ型ＺｎＯ材料研究历程，尽管ＺｎＯ材料 的ｐ型掺杂及其原型器件得以实现，但 ＺｎＯ材料离实用化还有很大的差距。如何获得高质量可重复稳定 ｐ 型材料是制约ＺｎＯ在光电领域应用面临的瓶颈问题，也是一个国际性难题。本文将综述国内外近几年 ＺｎＯ 材料的ｐ型掺杂相关研究成果，期望能对 ＺｎＯ领域的科研工作者有所启发。 １　ＺｎＯ材料ｐ型掺杂的研究进展 １．１　本征 ｐ型ＺｎＯ材料 ＺｎＯ中常见的锌空位（Ｖ ）和氧间隙（Ｏ）等受主缺陷在特定的条件下能实现其本征 ｐ型导电。早在 Ｚｎ