2000年～2001年磁性功能材料研究和应用新进展.pdfVIP

第 卷 第 期 !#$ %’ ($ ) % ) 稀有金属材料与工程 0110 年 0 月 2324 54637 536428379 3(* 4(:8(4428(: *+,+-.+/ 0110 ! 年# !$ 年磁性功能材料研究 和应用新进展 李国栋 ; 中国科学院物理研究所，北京1111= ; = ; = 摘 要：综述了磁性功能材料研究和应用在 年 年间的新进展，其内容包括： 自旋电子学； 氧化 0111 011 0 ?@ B+ ; = ; = ; = 物的磁性； 稀有和稀土金属垂直磁记录材料； 新的多层膜磁性材料； 磁浮列车。 % C D 关键词：自旋电子学； 氧化物；垂直磁记录材料；多层膜磁性材料；磁浮列车 ?@ B+ 中图法分类号： 文献标识码： 文章编号： ; = 650E 3 110 DF 0110 1) 1CCG 1% $ 自旋电子学 度，超过了预期极限值)$ C:. H ,-0 ；磁电阻随机存取存 储器在记录密度、记录速度和成本方面都可与半导体 自旋电子学是 世纪末发展起来的一门交叉科 随机存取存储器媲美，并具有断电不会失去数据的非 01 学，也称磁电子学。它是研究和应用磁性材料中流动 易失性、抗恶劣环境和抗辐照的优点；全金属自旋晶体 ; = 管已得到实验验证；电流可直接使磁矩发生转动、进动 的电子电荷与电子自旋 磁矩 之间的相互作用，在许 多高新技术和基础科学中都有重要的应用，特别是在 和反转，激发自旋波；传统的B5 H 3# A K H B5 的巨磁电 信息存储和信息输运方面。因其具有优异的性能，自 阻率已达到约D1L ，而具有两个绝缘层的隧穿结的巨 磁电阻率则从 提高到约 ，其中 为铁磁 旋电子学器件将在很多方面取代或补充一般的电子学 CCL E1L B5 M CN 层， 为铝的氧化物层等等 。 器件。当前，自旋电子学研究的重要科学和技术问题 3# A K