半导体器件原理简明习题傅兴华.pdfVIP

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2017-06-06 发布于湖北
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半导体器件原理简明习题傅兴华.pdf

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半导体器件原理简明教程习题答案傅兴华 1.1 简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点. 解整块固体材料中原子或分子的排列呈现严格一致周期性的称为单晶材料; 原子或分子的排列只在小范围呈现周期性而在大范围不具备周期性的是多晶材料; 原子或分子没有任何周期性的是非晶体材料. 1.6 什么是有效质量，根据E(k)平面上的的能带图定性判断硅鍺和砷化镓导带电子的迁移率的相对大小. 2 1 1  E k 解有效质量指的是对加速度的阻力. m * h k 由能带图可知,Ge 与Si 为间接带隙半导体,Si 的Eg 比Ge 的Rg 大，所以 .GaAs 为   Ge Si 直接带隙半导体,它的跃迁不与晶格交换能量,所以相对来说 . GaAs   Ge Si 1.10 假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同,材料 1 的禁带宽度为1.1eV,材料2 的禁带宽度为 3.0eV,计算两种半导体材料的本征载流子浓度比值,哪一种半导体材料更适合制作高温环境下工作的器件? 15 mdn mdp Eg 解本征载流子浓度:ni 4.82 10 ( 2 ) exp( ) m0 kT 两种半导体除禁带以外的其他性质相同 n exp(1.1) 1.9 1.9  1 kT exp( )