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VBT10200C-E34W;VT10200C-E34W;中文规格书,Datasheet资料.pdfVIP

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    VBT10200C-E34W;VT10200C-E34W;中文规格书,Datasheet资料

    New Product VT10200C, VFT10200C, VBT10200C, VIT10200C Vishay General Semiconductor Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low V = 0.58 V at I = 2.5 A F F FEATURES TMBS ® TO-220AB ITO-220AB • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for 2 3 2 3 TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) 1 VT10200C 1 VFT10200C • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC PIN 1

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