2014年贵州大学半导体器件物理复习题选编.docVIP

2014年贵州大学半导体器件物理复习题 画出n型和p型硅衬底上理想的金属-半导体接触（理想金属-半导体接触的含义：金属-半导体界面无界面态，不考虑镜像电荷的作用）的能带图，(a) (m (s, (b) (m (s. 分别指出该接触是欧姆接触还是整流接触? （要求画出接触前和接触后的能带图） 理想金属--n硅半导体接触前的能带图(?(m (s) 理想金属--n硅半导体接触平衡态能带图((m (s) 理想金属--p硅半导体接触平衡态能带图(?(m (s ) 理想金属--p硅半导体接触平衡态能带图((m (s) 画出Al-SiO2-p型Si衬底组成的MOS结构平衡态的能带图，说明半导体表面状态。Al的电子亲和势(=4.1eV，Si的电子亲和势(=4.05eV。假定栅极-氧化层-衬底无界面态，氧化层为理想的绝缘层。 半导体表面处于耗尽或反型状态。 重掺杂的p+多晶硅栅极-二氧化硅-n型半导体衬底形成的MOS结构，画出MOS结构在平衡态的能带图，说明半导体表面状态。假定栅极-氧化层-衬底无界面态，氧化层为理想的绝缘层。 4. 重掺杂的n+多晶硅栅极-二氧化硅-p型半导体衬底形成的MOS结构，画出MOS结构在平衡态的能带图，说明半导体表面状态。假定栅极-氧化层-衬底无界面态，氧化层为理想的绝缘层。 5. 画出能带图，说