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;电介质陶瓷简介;一、概述;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;二、滑石瓷（Steatite Ceramics ）;二、滑石瓷（steatite ceramics ）;第 一 节 低 介 装 置 瓷;3.滑石瓷化学组成及配方;第 一 节 低 介 装 置 瓷;4.滑石瓷中外加原料的作用;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;第 一 节 低 介 装 置 瓷;三、氧化铝瓷（steatite ceramics ）;三、氧化铝瓷（steatite ceramics ）;三、氧化铝瓷（steatite ceramics ）;三、氧化铝瓷（steatite ceramics ）;三、氧化铝瓷（steatite ceramics ）;三、氧化铝瓷（steatite ceramics ）;三、氧化铝瓷（steatite ceramics ）;三、氧化铝瓷（steatite ceramics ）;三、氧化铝瓷（steatite ceramics ）;三、氧化铝瓷（steatite ceramics ）;三、氧化铝瓷（steatite ceramics ）;三、氧化铝瓷（steatite ceramics ）;三、氧化铝瓷（steatite ceramics ）;;一、概述;一、概述;二、金红石瓷;2、金红石瓷的配方;3、原料及其性能;3、原料及其性能;3、原料及其性能;4、金红石生产中存在的问题 ;4、金红石生产中存在的问题 ;5、金红石瓷的使用特性 ;5、金红石瓷的使用特性 ;5、金红石瓷的使用特性 ;5、金红石瓷的使用特性 ;第 二 节 高 介 电 容 器 瓷;第 二 节 高 介 电 容 器 瓷;第 二 节 高 介 电 容 器 瓷;第 二 节 高 介 电 容 器 瓷;第 二 节 高 介 电 容 器 瓷;第 二 节 高 介 电 容 器 瓷;第 二 节 高 介 电 容 器 瓷;第 二 节 高 介 电 容 器 瓷;第 二 节 高 介 电 容 器 瓷;第 二 节 高 介 电 容 器 瓷;第 二 节 高 介 电 容 器 瓷;第 二 节 高 介 电 容 器 瓷;第 二 节 高 介 电 容 器 瓷;第 二 节 高 介 电 容 器 瓷;;第 三 节 强 介 铁 电 电 容 器 瓷;第 三 节 强 介 铁 电 电 容 器 瓷;电畴结构;铁电晶体的电滞回线;　　（1）当外加电场于铁电体材料时，如认为所讨论的铁电材料只有彼此成1800的电畴，则铁电材料中沿电场方向的电畴扩大，而逆电场方向的铁电体的电滞回线电畴减小，即逆电场方向的电畴偶极矩转向电场方向，因而使介质的极化强度随着电场强度的增加而迅速地增大(图中A至B段)，图中B点相应于晶体中全部电畴偶极矩沿电场方向排列，达到了饱和。 （2）进一步增加电场，就只有电子的及离子的位移极化效应，P一E呈直线关系，如图中B至C段。 （3）如果减小外电场，晶体的极化强度从C点下降，由于自发极化偶极距仍大多在原定电场方向、故P一E曲线将沿CD曲线缓慢下降。当场强E降到零时，极化强度P并不下降为零而仍然保留极化，称Pr(相应于图中OD线段)为剩余极化强度。 ;（4）这里Pr是对整个晶体而言的，而线性部分的延长线与极化轴的截距Ps(相应图中OE线段)表示电畴的自发极化强度，相当于每个电畴的固有饱和极化强度。要把剩余极化去掉，必须再加反向电场，以达到晶体中沿电场方向和逆电场方向的电畴偶极矩相等，极化相消，使极化强度重新为零的电场El(相应于图中OF线段)称为矫顽电场。 （5）如果反向电场继续增加，则所有电畴偶极矩将沿反向定向，达到饱和(相应回中G点)。 （6）反向场强进一步增加，曲线G至H段与B至C段相似。 （7）要是电场再返回正向，P一E曲线便按HGIC返回，完成整个电滞回线。电场每变化一周，上述循环发生一次。 （8）描述电滞回线最重要的参数为自发极化强度Ps和矫顽场强度Ec。不过矫顽场强与温度和频率有关，通常温度增加，矫顽场强下降；频率增加，矫顽场强增大。 ;第 三 节 强 介 铁 电 电 容 器 瓷;第 三 节 强 介 铁 电 电 容 器 瓷;第 三 节 强 介 铁 电 电 容 器 瓷;第 三 节 强 介 铁 电 电 容 器 瓷;第 三 节 强 介 铁 电 电 容 器 瓷;第 三 节 强 介 铁 电