MOCVD法制备的p_ZnO_n_省略_SiC异质结器件及其电致发光性能_史志锋.pdfVIP

第33 卷 第5 期 发 光 学 报 Vol. 33 No. 5 2012 年5 月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE May ，2012 文章编号:1000-7032 (2012)05-0514-05 MOCVD 法制备的p-ZnO / n-SiC 异质结器件及其电致发光性能 1 1 1 1 1 史志锋 ，伍 斌 ，蔡旭浦 ，张金香 ，王辉 ， 1 2 1* 1 1 ，2 王 瑾 ，夏晓川 ，董 鑫 ，张宝林 ，杜国同 (1． 集成光电子国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院，吉林长春 1300 12 ; 2 ． 大连理工大学物理与光电工程学院，辽宁大连 116023) 摘要: 采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC (6H)衬底上制备出As 掺杂的p 型ZnO 薄膜，并制备出相应的p-ZnO∶ As / n-SiC 异质结器件。X 射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明，ZnO 薄膜 具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结果表明，该型异质结器件具有良好的整流特性，开启电 压为5 ． 0 V ，反向击穿电压约为－ 13 V 。正向偏压下，器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可 见光区域的发光峰，通过和ZnO、SiC 的PL 谱对照，证实异质结器件的发光峰来源于ZnO 侧的辐射复合。 关 键 词:As 掺杂;p-ZnO / n-SiC ; 电致发光; 金属有机化学汽相沉积 中图分类号:O484 ． 1 ;TN383 文献标识码:A DOI :10 ． 3788 / fgx． 0514 Fabrication and Electroluminescent Properties of p-ZnO / n-SiC Heterojunction Device by MOCVD SHI Zhi-feng1 ，WU Bin1 ，CAI Xu-pu1 ，ZHANG Jin-xiang1 ，WANG Hui1 ， WANG Jin1 ，XIA Xiao-chuan2 ，DONG Xin1* ，ZHANG Bao-lin1 ，DU Guo-tong1，2 (1． State Key Laboratory on Integrated Op toelectronics ，College of Electronic Science and Engineering ， Jilin University ，Changchun 1300 12 ，China ; 2． School of Physics and Op toelectronic Technology ，Dalian University of Technology ，Dalian 116023 ，China) * Corresp onding Author ，E-mail :dongx@j lu． edu． cn Abstract :As-doped p-ZnO films were grown by ph