TTL CMOS对比大全 OC OD门等.pdfVIP

谈谈 TTL 和 CMOS 电平 1. 功耗 TTL 门电路的空载功耗与CMOS 门的静态功耗相比 ，是较大的 ，约为数十毫瓦（mw ） 而后者仅约为几十纳瓦(10−9 ) ；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低），TTL 和 CMOS 门电路都会产生数值较大的尖峰电流 ，引起较大的动态功耗。 2. 速度 通常以为 TTL 门的速度高于 CMOS 门电路。影响 TTL 门电路工作速度的主要因素 是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大 ，工作速度 越低。管子的开关时间越长 ，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于 输入波形上有“传输延时”tpd 。将tpd与空载功耗 P 的乘积称为“速度-功耗积”，作为 器件性能的一个重要指标 ，其值越小 ，表明器件的性能越好（一般约为几十皮（10−12 ） 焦耳）。 与 TTL 门电路的情况不同 ，影响 CMOS 电路工作速度的主要因素在于电路的外部 ， 即负载电容 CL。CL 是主要影响器件工作速度的原因。由 CL 所决定的影响 CMOS 门的 传输延时约为几十纳秒。 1. CMOS 是场效应管构成 ，TTL 为双极晶体管构成 2. COMS 的逻辑电平范围比较大（5 ～15V ），TTL 只能在 5V 下工作 3. CMOS 的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强 ，TTL 则相差小 ，抗干扰能力差 4. CMOS 功耗很小 ，TTL 功耗较大（1 ～5mA/门） 5. CMOS 的工作频率较 TTL 略低 ，但是高速 CMOS 速度与 TTL 差不多相当。 附录： TTL——Transistor-Transistor Logic HTTL——High-speed TTL LTTL——Low-power TTL STTL——Schottky TTL LSTTL——Low-power Schottky TTL ASTTL——Advanced Schottky TTL ALSTTL——Advanced Low-power Schottky TTL FAST(F)——Fairchild Advanced schottkyTTL CMOS——Complementary metal-oxide-semiconductor HC/HCT——High-speed CMOS Logic(HCT 与 TTL 电平兼容) AC/ACT——Advanced CMOS Logic(ACT 与 TTL 电平兼容) （亦称ACL ） AHC/AHCT——Advanced High-speed CMOS Logic(AHCT 与 TTL 电平兼容) FCT——FACT 扩展系列 ，与 TTL 电平兼容 FACT——Fairchild Advanced CMOS Technology 1 ，TTL 电平： 输出高电平 2.4V ，输出低电平 0.4V。在室温下 ，一般输出高电平是 3.5V ，输出低电 平是 0.2V。 输入高电平 =2.0V ，输入低电平 =0.8V ，噪声容限是 0.4V。 2 ，CMOS 电平 ： 1 逻辑电平电压接近于电源电压 ，0 逻辑电平接近于 0V。具有很宽的噪声容限。 3 ，电平转换电路： 因为 TTL 和 COMS 的高低电平的值不一样（ttl 5v ＝＝cmos 3.3v ），所以互相连接 时需要电平的转换。 4 ，OC 门 ，即集电极开路门电路 ，OD 门 ，即漏极开路门电路 ，必须外界上拉电阻和电 源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载 ，所以 又叫做驱动门电路。 5 ，TTL 和 COMS 电路比较： 1 ）TTL 电路采用的是电流控制器件 ，而 COMS 电路采用的是电压控制器件。 2 ）TTL 电路的速度快 ，传输延迟时间短(5-10ns) ，但是功耗大。 COMS 电路的速度慢 ，传输延迟时间长(25-50ns) ，但功耗低。 COMS 电路本身的功耗与电路的工作频率有关 ，频率越高 ，功耗越大。 3 ）COMS 电路的锁定效应 ： COMS 电路由于输入太大的电流 ，内部的电流急剧增大 ，除非切断电源 ，电流一直在增 大 。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时 ，COMS 的内部电流能达到 40mA 以上 ， 很容易烧毁芯片。 防御措施： 1 ）在输入端和输出端加钳位电路 ，使输入和输出不超过规定电压。 2 ）芯片的电源输入端加去耦电路 ，防止 VDD 端出现瞬时高压。 3 ）在VDD 和外电源之间加限流电阻。 4 ）当系