晶片减薄、CMP工艺与设备.pdfVIP

减薄/抛光(CMP)工艺培训 查强 1 1 工艺目的 2 工艺原理 3 减薄原理及设备 4 研磨、抛光原理及设备 5 工艺过程检测及常见问题 2 减薄/抛光(CMP)工艺目的 工艺目的: 通过减薄/研磨的方式对晶片衬底进行减薄，改善芯 片散热效果。 由于减薄后的衬底背面存在表面损伤层，其残余应 力会导致减薄后的外延片弯曲且容易在后续工序中 碎裂，从而影响成品率。因此在减薄后应对衬底背 面进行抛光。 减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。 3 工艺原理 • 通过机械加工和化学反应的方法对样品进行一系列减薄→研磨→ • 通过机械加工和化学反应的方法对样品进行一系列减薄→研磨→ 抛光工艺,使样品表面到达所需要的厚度/平整度/粗糙度. 抛光工艺,使样品表面到达所需要的厚度/平整度/粗糙度. • 4 可加工对象: • Si / GaAs / Sapphire / InP 等相关材料 2 • 尺寸：1×1cm －6’’ • 常规工艺: 减薄/抛光到80-100um • 粗糙度: 5-20nm • 平整度: ±3um 5 工艺流程图 原始厚度 样品清洗 上蜡粘片 压片 测量 抛光 研磨 减薄 二次厚度测量 融蜡取片 样品清洗 6 测厚仪 7 加热台 8 双头晶片上蜡机 • 原理：气动加压 • 压力:0-0.6MPa • 水温:5-40℃ • 时间: 0-1800sec • 行程： 60mm 9 设备简介 • 制造商:AM Technology