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GH302光电耦合器
GH302 光电耦合器
1 外形图与逻辑图
2 最大额定值(Tamb=25 ℃)
项 目 符 号 额 定 值 单 位
最大正向电流 IFM 40 mA
*
最大正向脉冲电流 IPM 1 A
反向电压 VR 5 V
最大集电极—发射极连续电压 VCEO 40 V
最大耗散功率 PCM 75 mW
入出间隔离电压 VISO 1000 V
3 光电参数(Tamb=25 ℃)
参数 符号 条件 规范值 单位
正向电压 V I =10mA ≤1.3 V
F F
反向电流 I V =5V ≤10 μA
R R
截止电流 ICEO VCE=30V ≤0.1 μA
饱和压降 V I =20mA, Ic=1mA ≤0.25 V
CE(sat) F
集电极—发射极击穿电压 VBR(CEO) Ic=100 μA ≥40 V
电流传输比 CTR IF=10mA, VCE=10V ≥60 %
IFP=25mA, VCE=10V
上升/下降时间 tr/tf ≤4/4 μs
RL=50 Ω
绝缘电阻 RISO V=500V ≥1010 Ω
隔离电容 CISO f=1MHz ≤4 pF
6
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