SEM试片制备.ppt

指導老師：朱志良班級︰機械碩研一甲學生：M9910111 黃保珠 M9910110 羅苑齊 掃描式電子顯微鏡的構造與原理 (Scanning Electron Microscopy) 大綱 SEM介紹 顯微鏡可見範圍 電子顯微鏡發展 SEM基本架構 SEM試片製備 SEM之應用 SEM未來發展 顯微鏡可見的範圍 肉眼可見物體的範圍:~0.1cm 光學顯微鏡可見的範圍:~1um 掃描式電子顯微鏡可見的範圍:~10nm 穿透式電子顯微鏡可見的範圍:~0.1nm 電子顯微鏡發展 摘自︰掃描式電子顯微鏡與應用 SEM基本架構 摘自︰SEM講義 SEM原理 SEM主要是透過背向電子與二次電子來顯像。 EDS與WDS則是依靠Ｘ-ray來得知。 SEM原理 圖為電子束打入樣品之後，所產生的各種電子與其分布情形。 摘自︰郭育林工程師 Theory of Scanning Electron Microscope SEM試片製備 SEM試片製備一般原則為: 顯露出所欲分析的位置。 表面導電性良好，需能排除電荷。 不得有鬆動的粉末或碎屑(以避免洩真空時粉末飛揚污染鏡柱體)。 需耐熱，不得有熔融蒸發的現象。 不能含液狀或膠狀物質，以免揮發。 非導體表面需鍍金(影像觀察)或鍍碳(成份分析)。 金屬膜較碳膜容易鍍，適用於SEM影像觀察，通常為Au或Au-Pd合金或Pt。而碳膜較適於X光微區分析，主要是因為碳的原子序低，可以減少X光吸收 SEM試片製備 電子顯微鏡對試片的作用 適當電壓的選擇 一般來說，加速電壓提高，電子束波長越短，理論 上，只考慮電子束直徑的大小，加速電壓愈大，可 得到愈小的聚焦電子束，因而提高解析度，然而提 高加速電壓卻有一些不可忽視的缺點： 無法看到試片表面的微細結構。 會出現不尋常的邊緣效應。 電荷累積的可能性增高。 試片損傷的可能性增高。 ACCV=5 kV ACCV=25 kV 電子顯微鏡對試片的作用 加速電壓對試片之影響 高加速電壓 → 對試片景深有較明顯之顯像. 低加速電壓 → 對試片表面之凹凸起伏較明顯 電子顯微鏡對試片的作用 電子束電流對試片之影響 高電子束電流 → 由於電子束密度高,所產生二次電子數目較多,影像品質較細緻 低電子束電流→由於電子束密度低,所產生二次電子數目較少,影像品質較粗糙 ACCV=10kV 10pa 1000pa 如何增加影像解析度之方法 縮短工作距離 ( WD ) 增加加速電壓　( Vacc ) 設定電子束電流值 30 SEM之應用 生物：種子、花粉、細菌…… 醫學：血球、病毒…… 動物：大腸、絨毛、細胞、纖維…… 材料：陶磁、高分子、粉末、環氧樹脂… 化學、物理、地質、冶金、礦物、污泥〔桿菌〕、機械、電機及導電性樣品如半導體〔IC、線寬量測、斷面、結構觀察……〕電子材料等。 SEM之應用 SEM近年發展(桌上型SEM) FEI Desktop SEM 超泰科技公司 鮑忠興 博士 SEM近年發展 日本電子 (JEOL) 臺式掃描電子顯微鏡 JCM-5000 常見顯微技術比較表 光學顯微鏡（OM） 掃描式電子顯微鏡（SEM） 穿透式電子顯微鏡（TEM） 掃描探針顯微技術（SPM） 橫向解析度 300 nm 2-5 nm 原子級 原子級 縱向解析度 20 nm 20 nm 無 原子級 景深 0.1μm 30μm(1000X) 20μm 無 成像環境 無限制 真空 真空 無限制 樣品準備 無 鍍導電膜 手續繁複 無 成份分析功能 有 有 有 無 參考文獻 掃描式電子顯微鏡/uploadfile/xwjs/uploadfile/201007/20100719032549522.pdf SEM/EDS構造原理.tw/upfiles/ADUpload/c23_downmul1209823853.pdf SEM講義 掃描式電子顯微鏡中文操作手冊