半导体缺陷解析和中英文术语一览.pdf

一、半导体缺陷 1.位错：位错又可称为差排（英语：dislocation ），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微 观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度 看，位错属于一种线缺陷， 可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性 能，具有极大的影响。 产生原因：晶体生长过程中，籽晶中的位错、固-液界面附近落入不溶性固态颗粒，界面附 近温度梯度或温度波动以及机械振动都会在晶体中产生位错。在晶体生长后，快速降温也容 易增殖位错。（111）呈三角形；（100）呈方形；（110 ）呈菱形。 2.杂质条纹：晶体纵剖面经化学腐蚀后可见明、暗相间的层状分布条纹，又称为电阻率条纹。 杂质条纹有分布规律，在垂直生长轴方向的横断面上，一般成环状分布；在平行生长轴方向 的纵剖面上，呈层状分布。反映了固-液界面结晶前沿的形状。 产生原因：晶体生长时，由于重力产生的自然对流和搅拌产生的强制对流，引起固-液界近 附近的温度发生微小的周期性变化，导致晶体微观生长速率的变化，或引起 杂质边界厚度 起伏，一截小平面效应和热场不对称等，均使晶体结晶时杂质有效分凝系数产生波动，引起 杂质中杂质浓度分布发生相应的变化，从而在晶体中形成杂 质条纹。 解决方案:：调整热场，使之具有良好的轴对称性，并使晶体的旋转轴尽量与热场中心轴同 轴，抑制或减弱熔热对流，可以使晶体中杂质趋于均匀分布。采用磁场拉晶工艺或无重力条 件下拉晶可以消除杂质条纹。 3.凹坑：晶体经过化学腐蚀后，由于晶体的局部区域具有较快的腐蚀速度，使晶体横断面上 出现的坑。腐蚀温度越高，腐蚀时间越长，则凹坑就越深，甚至贯穿。 4.空洞：单晶切断面上无规则、大小不等的小孔。产生原因：在气氛下拉制单晶，由于气体 在熔体中溶解度大，当晶体生长时，气体溶解度则减小呈过饱和状态。如果晶体生长过快， 则气体无法及时从熔体中排出，则会在晶体中形成空洞。 5.孪晶：使晶体断面上呈现金属光泽不同的两部分，分界线通常为直线。造成原因：晶体生 长过程中固-液界面处存在固态小颗粒、机械振动、拉晶速度过快、温度的突变以及熔体中 局部过冷都会造成核中心而产生孪晶。 6.嵌晶：在锗单晶内部存在与基体取向不同的小晶体。 7.化学抛光：液配比：HF(40%) ：HNO3(65%-68%)=1:3(体积比)抛光的时间依不同为2-5min。 抛光的温度不宜过高，样品不能暴露空气中，防止氧化。 8.多晶：晶体中出现多个取向不同的单晶体。在单晶的横断面上经研磨或化学腐蚀后呈现多 个金属光泽不同的区域。 二、机械加工缺陷 1.机械应力缺陷：在机械加工时，所切片子表面会引入机械应力缺陷，严重时，即使研磨后 表面上已看不到损伤痕迹，但经化学腐蚀后又会呈现这种缺陷，也可能会引起位错。 切割刀痕：切割加工时的刀具痕迹。产生原因：刀具不平整，加工时有较大摆动，金刚石颗 粒不均匀以及进刀速度过快。 2.根部崩裂：片子边缘沿着刀痕有呈现圆弧状的断裂。产生原因：刀片安装不当，进刀速度 过快，使晶片未被切割到底就崩裂。 3.斜片：晶片两个表面不平行，经过研磨后某一区域未能磨到，称为斜片。产生原因：刀片 安装太松，进刀速度太快，切割阻力超过刀片本身的张力时，引起刀片侧向移动，造成斜片。 4. 凹片与凸片：产生原因; 刀片安装过松，进刀速度过快，抛光时，晶片受温度影响变形。 5.划痕：晶片在研磨或抛光过程中，出现明显的划伤痕迹。产生原因; 磨粉或抛光粉中混入 较大硬质颗粒或晶片碎片，机械抛光沥青盘局部太硬。 6.裂纹：晶片或晶体内存在微小的缝隙。产生原因：热应力或机械应力。 7.崩边：晶片边缘呈现单面局部破损。产生原因：在划片、腐蚀、清洗、分选及包装等工艺 过程中，由于边缘受冲击力造成边缘崩边。 8.缺口与缺角：晶片边缘呈现贯穿两面的局部破损。。产生原因：在划片、腐蚀、清洗、分 选及包装等工艺过程中，由于边缘受冲击力造成边缘崩边。 9.形状不规则：出现近似椭圆形、菱形、圆锥形的片或块。产生原因：刀具应用不当。 10.毛边：晶片边缘多处破裂，轮廓不清。产生原因：在切割、研磨是操作不当。 11.表面沾污：指纹、水渍、有机物、灰尘以及腐蚀氧化。产生原因：晶片清洗不当，晶片 烘干后，表面留下水渍；操作不当，手指接触晶片表面；晶片长期存放在潮湿环境是表面氧 化而发乌；有机物或灰尘落于晶片表面；晶片腐蚀过程中被氧化。 12.粘片：表面受潮粘在一起。 13.平整度：flatness 晶片表面与基准平面之间的最高点和最低点的差值，是一种表面性质。 加工为近似平面时，无牛顿光环或呈近似直线的干涉条纹；加工成球面时。呈环形光圈条