EN29LV800BB-70BC中文资料(Eon Silicon)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdf

芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn EN29LV800B EN29LV800B 8兆比特（兆比特（1024K×8位位/ 512K×16位）闪存位）闪存 引导扇区闪存引导扇区闪存,CMOS 3.0电压只有电压只有 特征特征 单电源工作 扇区防护护： - 部门,以防止编程或擦除个别行业内运 - 全电压范围：2.7-3.6伏读写 营硬件锁定 - 另外,临时机构撤消允许先 操作电池供电应用. 前锁定行 - 稳定电压范围：3.0-3.6伏读 业代码更改. 写操作和兼容性高性能3.3伏微处理器. 高性能 JEDEC标准嵌入式擦除和 - 存取时间快55纳秒 程序算法 低功耗（在5个典型值 JEDEC标准数据＃投票和切换 MHz) 位功能 - 6 mA典型有效读电流 单扇区和芯片擦除 - 24 mA典型编程/擦除电流 - 1 µA典型待机电流（标准访问 部门撤消模式 时间到主动模式） 擦除挂起/恢复模式： 灵活部门架构： 阅读或在设置另一个部门 擦除挂起模式 - 一个16字节,两个8字节,一个32字节, 十五64K字节扇区（字节模式） 低VCC写入禁止2.5 - 一个8-K字,两个4千字,一个16千字 最低100K耐久性周期 十五32千字部门（字模式） 封装选项 高性能编程/擦除速度 - 48针TSOP （类型1） - 字节/ Word程序时间：8μs典型 - 48球6mm x8毫米FBGA - 扇区擦除时间：500ms典型 商用和工业温度