【2017年整理】化学汽相沉积技术.pptVIP

第七章：薄膜制备技术—— 化学汽相沉积法 Chapter 7: Thin Film Deposition Techniques —— Chemical Vapor Deposition (CVD);PVD vs. CVD;Chemical Vapor Deposition (CVD化学气相沉积);CVD的在集成电路制造中的重要性;CVD的特点;介电材料：SiO2, Si3N4, SiOxNy, PSG, BSG (BSG: Boron-doped SiO2 , 硼硅玻璃; PSG: phospho silicate glass(PSG), 磷硅玻璃) 低介电材料:掺碳SiO2, 氟化非晶碳 高介电材料：Ta2O3, BST(Ba0.5Sr0.5TiO3) 导电材料: Polysilicon, WSix, W, TiN/Ti, Cu ;CVD过程六种基本化学反应(一);氮化反应：反应物分子与N2或NH3发生反应 例子： 氮化硅薄膜制备：3SiH4+4NH3(N2) (气态) --- Si3N4(固态)+12H2(气态) 置换反应 例子： TiC薄膜的制备：TiCl4(气态)+CH4(气态) --- TiC(固态)+ 4HCl(气态) 复合反应 例子： TiN薄膜的制备：2TiCl4 (气态) +4H2(气态) +N2(气态) --- 2TiN(固态)+8HCl(气态);(1) 反应气体导入系统； (2) 薄膜先驱物反应； (3) 反应气体由扩散和整体流动(粘质流动)穿过边界层； (4) 气体在基底表面的吸附； (5 吸附物之间或吸附物与气态物质之间的化学反应； (6) 吸附物从基底解吸； (7) 生成气体从边界层到整体气体的扩散和整体流动； (8) 气体从系统中排出。;p247CVD传输和反应步骤图;薄膜先驱物反应 （举例）;(1) 反应气体导入系统； (2) 薄膜先驱物反应； (3) 反应气体由扩散和整体流动(粘质流动)穿过边界层； (4) 气体在基底表面的吸附； (5) 吸附物之间或吸附物与气态物质之间的化学反应 (6) 吸附物从基底解吸； (7) 生成气体从边界层到整体气体的扩散和整体流动； (8) 气体从系统中排出。;速度限制阶段;薄膜沉积速率限制阶段;CVD的反应体系的基本要求;CVD工艺原理;CVD反应过程;反应腔内的气体流动动力学;展开距离为： 其中，a是管道半径，Re是无量纲的雷诺数 雷诺数： 其中，L为腔体特征长度， μ 是动黏度， ρ是气体质量密度，η是气体的动态黏滞度 当雷诺数较小时，管道中气流速度分布为抛物线形，即 其中，r为距中心线的半径，dP/dz为横跨管道的压力梯度 ;假设系统温度均匀，气流速度在硅片表面降低到零，且腔体高度足够大，使硅片上方气流具有均匀速度 边界层（滞留层）近似： 在边界层中气流速度为零，在边界层外气流速度为v;边界层的厚度与沿气流方向的位置有关 m气体运动黏滞率，v气流速率 z 沿气流方向坐标 边界层厚度随着z1/2而增加 为了维持沉积速率的均匀，必须保证边界层的厚度均匀 因此一般采用楔形基座，沉积表面朝气流方向倾斜。;气相输运的扩散系数与温度的关系式有： 与体扩散系数相比，De 对温度的依赖性要弱得多。 与此对应的，化学反应速率系数与温度的关系式有： 因此，CVD过程受限于 (1) 化学反应； (2) 气相输运 对决定CVD薄膜淀积速率～温度关系是至关重要的。 ;CVD淀积速率与温度的关系;CVD的类型;Atmosphere Pressure CVD常压化学气相沉积法;APCVD Reactor;Question;Low Pressure CVD低压化学气相沉积法;LPCVD System;均匀性好 低温沉积工艺（250~450℃） 薄膜致密度和质量较高 薄膜内应力较低，附着力好 深宽比简谐填充能力较好 孔洞和针孔（Pinhole）较少 常用于沉积SiO2、PSG、BPSG、SiNx、SiOxNy;Main Applications of PECVD;PECVD System;Mixed Frequency PECVD 混频PECVD;Basic PECVD Plasma Process (SiH4 based);PECVD 和LPCVD沉积SiN??质比较 ;Film Quality Vs Dep. Temperature;三种