【2017年整理】半导体器件基础—集成电路.ppt

半导体器件原理 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2017-6-8 2 提纲 半导体中的载流子及其运动 P-N结的特性 MOS晶体管工作原理及特性 MOS 晶体管电路基本结构单元及特性 硅平面工艺简介（E/D NMOS工艺结构介绍） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2017-6-8 3 半导体中的载流子及其运动 硅单晶 正四面体，金刚石结构，晶体的性质与晶向有关，表面的性质与晶面有关 硅原子最小距离：0.235nm 晶格常数：0.543089nm Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2017-6-8 4 半导体中的载流子及分布 半导体的电阻率介于导体和绝缘体之间 导体：ρ＜10-4Ωcm 绝缘体： ρ＞1010Ωcm 半导体： 10 -4 ＜ρ＜1010Ωcm 导电能力的决定因素 σ＝1/ρ＝nqμ n:载流子的浓度， 决定因素 q:载流子的电荷 μ:载流子的迁移率 （相差不大） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2017-6-8 5 半导体中的载流子及分布 硅单晶导电性能 硅原子四个价电子，与周围四个原子各出一个电子形成共价键→每个原子周围八个电子→共价键晶体 热激发→价带电子跃迁到导带→载流子→晶体具有导电性 Si Si Si Si Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2017-6-8 6 半导体中的载流子及分布 本征半导体中载流子及分布 电子空穴浓度相等 ni=n0=p0 =(NvNc)1/2 exp(-Eg/2kT) 常温下，硅半导体ni=1.5×1010cm-3 ρ＝2.3×105Ωcm 不能满足要求，需掺杂 施主、受主杂质 施主杂质，可给出一个电子→P,As 受主杂质，可接受一个电子→B 掺有施主杂质的半导体称为n型半导体， 掺有受主杂质的半导体称为p型半导体 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2017-6-8 7 半导体中的载流子及分布 N、P型半导体杂质能级 N型半导体 P型半导体 ΔED=EC-ED ΔEA=EA-EV Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2017-6-8 8 半导体中的载流子及分布 载流子分布 ND大，EF 靠近EC，导带有较多的电子，价带基本填满，空穴很少。 NA大，EF越靠近EV，价带空穴多，很少有电子能跃入导带。 热平衡情况下 np＝ni2 0.5 1 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2017-6-8 9 载流子在电场中的运动 载流子运动 热运动，无规则 电场下的漂移，散射，再加速的过程，平均速度为两次散射之间由电场加速所获得的定向速度。 迁移率 单位电场强度下载流子的漂移速度 影响因素： 有效质量、温度（散射）、杂质散射、 表面散射 Evaluation only. Created with Aspose.Slides f