【2017年整理】三电子基础知识演示文稿.pptVIP

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【2017年整理】三电子基础知识演示文稿

电 子 技 术 基 础主讲:贾;第一章 半导体二极管及基本电;1.1 半导体的基础知识导体;物质的导电性能取决于原子结构。;概 述晶体二极管结构及电路符;一. 本征半导体现代电子学中,;本征半导体:完全纯净的、结构完;共价键中的两个电子被紧紧束缚在;在绝对0度(T=0K)和没有外;+4+4+4+4自由电子空穴束;+4+4+4+4在其它力的作用;温度越高,载流子的浓度越高。因;二.杂质半导体杂质半导体——在;在硅(或锗)的晶体中掺人少量的;在硅(或锗)的晶体中掺入少量的;3、杂质半导体的示意表示法--;⒈ 半导体中存在着两种载流子-;P型半导体----------;2. PN结的单向导电性1)P;2) PN 结加反向电压---;结论:1) PN 结具有单向导;3) PN 击穿当加在PN结的;1.2 半导体二极管一. ;二. 伏安特性(V—A特性);硅二极管的伏安特性 ;1)正向特性: OA段:当 U;2) 反向特性OC段:当 U;三. ???要参数 1)最大整;二极管的应用很广,其基本电路有;二极管:死区电压=0 .5V,;1. 4 稳压二极管;分析:1)稳压管的正向特性与二;二. 主要参数1). 稳;1.发光二极管 当发光二;2.变容二极管 对PN结,当;3.光电二极管 光电二极管,;第二讲 晶体三极管Evalu;一、晶体管的结构和符号晶体管有;三极管的基本结构NNP基极发射;基区:最薄,掺杂浓度最低发射区;二、晶体管的放大原理 扩;3 电流分配和放大原理1. ;2. 各电极电流关系及电流放大;三、晶体管的共射输入特性和输出;发射极是输入回路、输出回路的公;1. 输入特性特点:非线性正常;2. 输出特性IB=020?;IB=020?A40?A60?;晶体管的三个工作区域 ;3 主要参数1. 电流放大系数;例:在UCE= 6 V时, ;2.集-基极反向截止电流 IC;4. 集电极最大允许电流 IC

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