电工简明教程第三版10剖析.ppt

P 沟道增强型绝缘栅场效晶体管 SiO2 绝缘层 结构示意图 N 型硅衬底 源极 S 栅极 G 漏极 D P+ P+ 　　其工作原理与 N 沟道管相似，接线时应调换电源的极性，电流方向也相反。 　　跨导是表示场效晶体管放大能力的参数，它是当漏 - 源电压 UDS 为常数时，漏极电流的增量 ?ID 与引起这一变化的栅源电压的增量 ?UGS 的比值，即 D S G 符号 　　漏 - 源击穿电压 UDS (BR) 、栅 - 源击穿电压 UGS (BR) 以及漏极最大耗散功率 PDM 是管子的极限参数，使用时不可超过。 *10.7.2　场效晶体管放大电路 下图是 场效晶体管的分压式偏置共源极放大电路 C1 +UDD + S G D RD RG1 RG RG2 T RS RL CS C2 + ui ? + uo ? 分压式偏置放大电路 　　静态时，电阻 RG 中无电流，栅 - 源电压为 式中，VG 为栅极电位。 　　当有输入信号时，由交流通路可得输出电压为 S G D RD RG1 RG RG2 T RL 分压式偏置放大电路的交流通路 + ? + ? 电压放大倍数为 式中，的负号表示输出电压和输入电压反向。 放大电路的输入电阻为 放大电路的输出电阻为　　ro ? RD 。 　　[例 1]　在分压式偏置共源极放大电路中，已知 UDD = 20 V，RD = 5 k?，RS = 1.5 k?，RG1 = 100 k?，RG2 = 47 k?，RG = 2 M?，RL = 10 k?，gm = 2 mA/V，ID = 1.5 mA。试求：(1)静态值；(2)电压放大倍数。 [解]　(1)静态值 (2)电压放大倍数 　　下图是由场效晶体管构成的源极输出器，它和晶体管的射极输出器一样，具有电压放大倍数小于但近于1，输入电阻高输出电阻低等特点。 C1 +UDD RG1 RG RG2 T RS C2 + ui ? + uo ? 源极输出器 高 等 教 育 出 版 社 高等教育电子音像出版社 10.3　静态工作点的稳定 　　由于某种原因，例如温度的变化，将使集电极电流的静态值 IC 发生变化，从而影响静态工作点的稳定。上一节所讨论的基本放大电路偏置电流 　　当 RB 一经选定后，IB 也就固定不变，称为固定偏置放大电路，它不能稳定 Q 点。 +UCC RC C1 C2 T RL RE + CE + + RB1 RB2 RS + ui ? + es ? + uo ? iB iC + uCE ? + uBE ? 分压式偏置放大电路 　　放大电路不仅要有合适的静态工作点 Q，而且要保持 Q 点的稳定。 　　为此，常采用分压式偏置放大电路。 +UCC RC T RE RB1 RB2 IB IC + UCE ? + UBE ? I1 I2 IE 直流通路 由直流通路可列出 若使 则 基极电位 　　可认为 VB 与晶体管的参数无关，不受温度影响，而仅为 RB1 和 RB2 的分压电路所固定。 若使　　VB UBE 则 　　因此，只要满足 I2 IB 和 VB UBE 两个条件， VB 和 IE或 IC 就与晶体管的参数几乎无关，不受温度变化的影响，使静态工作点能得以基本稳定。对硅管而言，在估算时一般可取 I2 = (5 ~ 10) IB 和 VB = (5 ~ 10)UBE 。 　　这种电路稳定工作点的实质是：当温度升高引起 IC 增大时，发射极电阻 RE 上的电压降增大，使 UBE 减小，从而使 IB 减小，以限制 IC 的增大，工作点得以稳定。 　　电容 CE 的作用是使交流旁路，防止 RE 上产生交流电压降降低电压放大倍数，CE 称为交流旁路电容。 　　[例 1]　在分压式偏置放大电路中，已知 UCC = 12V，RC = 2 k?，RE = 2 k?，RB1 = 20 k?，RB2 = 10 k?，RL= 6 k?，晶体管的　　　　　。(1)试求静态值；(2)画出微变等效电路；(3)计算该电路的 Au， ri 和 ro 。 [解](1) (2) rbe E B C RC RL RB2 RS + ? + ? + ? RB1 (3) 10.4　射极输出器 　　射极输出器是从发射极输出。在接法上是一个共集电极电路。 10.4.1　静态分析 RE RB +UCC IB + UBE ? + UCE ? T IC IE 直流通路 C1 RS + ui ? RE RB +UCC C2 RL + es ?