电子电路综合实验(单片机测试板)综述.docx

电子电路单片机综合实验报告学 院： 电气工程学院 班 级： 电122班 学 号： 1212021050 姓 名：陈 晨 一、综合实验目的结合所学数电和电路知识，了解单片机所用各元件的基本原理；熟悉所用元器件外形特征及结构，通过焊接完成实物电子产品散件的组装；利用教师提供的检测程序，检测、调试所完成单片机测试板，为今后单片机的学习做好准备。二、综合实验仪器设备与器件2.1单片机测试板的组成：单片机焊接需要完成的成品如下图：所用元器件如下表：CommentDesignatorFootprint器件价格Quantit y10UFC1、C2RAD0.12104C3, C8, C13,C9, C10, C11, C12RAD0.1722PC4, C5, C6, C7RAD0.14DC 电源头CN1POWER_JACK1DB9（孔）COM1DB9/F1LEDLED1, POWER，D1, D2, D3, D4, D5, D6, D7,D8 ()LED-110电池座DCZDCZ1HEADER5X2（ISP接口）ISP1PIDC101单排插针J1，J2SIP202单排插针J3, J10SIP32单排插针J4SIP71单排插针J5, J12SIP22单排插针J6SIP51接线端子J7CON5.08-31热敏电阻J9 （没有正负极）RAD0.21光敏电阻J8(没有正负极）RAD0.21单排插针J11SIP41轻微按键K1, K2, K3, K4, RST_51, RST_AVR1, S1, S2,S3, S4, S5, S6, S7, S8, S9, S10, S11, S12,S13, S14, S15，S16SW22单排插座LCM2SIP201单排插座LCM3SIP161自锁开关POWER1SW-L110K 排阻PR1SIP911K 排阻PR2SIP919012Q1, Q2, Q3, Q4TO-92A41KR1, R19，R12AXIAL0.3310KR2, R3, R4, R6, R7, R8, R9, R13, R14AXIAL0.3910欧R5AXIAL0.31200R10, R11, R15, R16, R17, R20, R21, R22AXIAL0.3810K 可调R18, RPSIP32电阻继电器RL1JDQ1紧锁座U1P-DIP401DIP8座U2 （2402）DIP81DIP8座U3 （DS1302）DIP81DIP16座U4(ULN2003)DIP161BELLU5 没有正负极）SPEAKER14LEDU6SHUMAGUAN1圆孔座U718B201DIP16座U8(MAX232)DIP161圆孔座U918B201DIP16座U10(PCF8591)DIP16111.0592MY1(没有正负极）JZ132706HZY2(没有正负极）TXT1合计2.2装配产品的了解与掌握学习板主要芯片的功能：1.时钟芯片DS1302（maxim）：DS1302是美国DALLAS公司生产的一种高性能，低功耗，带RAM的实时时钟芯片，它可以对年，月，日，时，分，秒等进行计时，且具有闰年补偿功能，电源电压为2.5V?~?5.5V，DS1302内部有一个31*8的RAM寄存组，用于临时存放数据。简单的3线接口，与TTL兼容。 2.EEPROM芯片AT24C02(atmel)：具有总线接口的EEPROM有很多的类型和厂家，AT24C01/02/08/16的存储容量分别为1K、2K、4K、8K、16K,可对所存储的数据保存100年，并可多次擦写，擦写次数可达10万次以上。3.达林顿驱动阵列ULN2003(TI)：高耐压、大电流复合晶体管IC—ULN2003，ULN2003 是高耐压、大电流复合晶体管阵列，由七个硅NPN 复合晶体管组成。ULN2003是大电流驱动阵列,多用于单片机、智能仪表、PLC、数字量输出卡等控制电路中。可直接驱动继电器等负载。输入5VTTL电平，输出可达500mA/50V。该电路的特点如下: ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路 直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。ULN2003 是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。4.232电平转换芯片MAX232(maxim)：MAX232是一种双组驱动器/接收器，片内含有一个电容性电压发生器以便在单5V电源供电时提供EIA/TIA-232-E电平。当用单片机和PC机通过串口进行通信，尽管