半导体激光器国家标准〔2〕.docVIP

半导体激光器国家标准（二） 3.1.32 远场光强分布 Far field intensity distribution 　　在距离远远大于激光光源瑞利长度的接收面上得到的光强分布。 　　3.1.33 近场光强分布 Near field intensity distribution 　　激光器在输出腔面（AR面）上的光强分布。 　　3.1.34 近场非线性 Near field non-linearity 　　热应力引起半导体激光器阵列或巴条中各个发光单元在垂直p-n结的方向上发生的位移，导致激光器阵列或巴条近场各个发光单元不在一条直线上，又称为smile效应。 3.1.35 偏振 Polarization 　　半导体激光器是利用光波导效应将光场限制在有源区内，使光波沿着有源区层传播，并通过腔面输出，半导体激光器的偏振特性与电场和磁场两个空间变量有关，对于横向电场（TE）偏振光，只存在（Ey，Hx，Hz）三个分量，对于横向磁场（TM）偏振光，只存在（Ex，Ez，Hy）三个分量。半导体激光器偏振特性优劣通常用偏振度来表征，偏振度为两种偏振态的光功率差与光功率和的比值，通常以百分比表示。 　　3.1.36 热阻 Thermal resistance 　　热量在热流路径上遇到的阻力，反映介质或介质间的传热能力的大小，激光器产生1W热量所引起的温升大小，单位为/W或K/W。 　　3.1.37 波长-温度漂移Wavelength-temperature shift 　　半导体激光器稳定工作时，结温每升高1所引起的波长变化，单位是nm/K。 3.1.38 斜率效率? Slope efficiency 　　激光器额定光功率的10％和90％对应的光功率差值P与相应工作电流的差值I的比值称为斜率效率。 　　3.1.39 光功率-电流曲线扭折? Optical power-current curve kink 光功率-电流曲线上出现的非线性变化的拐点。扭折表征了光功率与工作电流的线性关系的优劣。3.1.40 光输出饱和? Optical output saturation 　　光输出饱和是指理想的线性响应光输出的跌落，表征激光器光输出效率下降。 　　3.1.41 FP腔? Fabry-Perot cavity 　　以激光器两平行腔面((高反射面HR或部分反射面PR面))形成的具有光增益反馈作用的谐振腔。 　　3.1.42 分布反馈半导体激光器 DFB distributed feed-back semiconductor laser 　　分布反馈是指激光器增益区材料具有特殊结构，可以形成周期性光反馈。具有这种结构的半导体激光器称为分布反馈半导体激光器。 　　3.1.43 分布布拉格反射式半导体激光器DBR? Distributed bragg reflector semiconductor laser 　　分布布拉格反射镜（DBR）又称为光栅反射器，通常设于半导体激光器增益介质外部，对满足布拉格光栅选择条件的波长具有最大的反射率。具有该结构的半导体激光器称为分布布拉格反射式半导体激光器。 　　3.1.44 直接调制半导体激光器DML Direct modulation semiconductor laser 　　通过直接调制驱动电流来控制激光器工作方式的半导体激光器称为直接调制半导体激光器。 　　3.1.45 电吸收调制半导体激光器EML Electro-absorption modulation semiconductor laser 　　电吸收调制是利用外加电压对半导体材料能带结构的影响从而产生光吸收的原理，对单纵模工作激光器输出光强度进行外部调制的一种方式。把分布反馈半导体激光器和电吸收调制器集成在一起形成的半导体激光器称为电吸收调制半导体激光器。 　　3.1.46 可调谐半导体激光器 Tunable semiconductor laser 　　输出光波长可按工作要求进行调节的半导体激光器称为可调谐半导体激光器。 3.1.47 光谱宽度 Spectral? width 　　半导体激光器的光谱谱宽有几种不同的定义：均方根谱宽（RMS）、-3dB谱宽（FWHM）以及-20dB谱宽。 　　3.1.48 均方根谱宽 　　光谱包络分布用高斯函数P(λ)来近似，若σrms为均方根谱宽值 3.1.49 边模抑制比 Side mode suppression ratio 激光器光谱峰值波长的辐射强度与第二高峰值的辐射强度的比值，边模抑制比为Pm0/Pm1 。3.1.50 眼图? Eyes diagram 　　根据光纤通信电信号调制码型，半导体激光器响应输出的光信号在一定采样频率下叠加形成的图形称为眼图。眼图用于表征通信系统中传输信号的质量。 　　3.1.5