半导体薄膜_概念.pptVIP

真空泛指低于一个大气压的气体状态。与普通的大气状态相比，分子密度较为稀薄，从而气体分子与气体分子，气体分子与器壁之间的碰撞几率要低些。 （个/米3） 在标准状态下，任何气体分子n=3×1019个/cm3 P=1.33×10-4Pa, T=293K, n=3.2×1010个/cm3 “真空”是相对的 * 真空度跨越了几十个数量级这样宽的一个范围。随着真空度的提高，“真空”的性质逐渐发生变化，经历着气体分子数的量变到“真空”质变的若干过程。构成了“真空”的不同区域。 在气压高于10 Torr的真空范围区域，气体性质和常压相仿，气流特性也以分子间的碰撞为主，当压力渐渐减小，分子密度降低，平均自由程增加，分子间的捧场开始减少，当达到高真空区域，真空特性以气体分子和真空器壁的碰撞为主，在超高真空区，气体分子在空间活动减少，而以在固体表面上吸附停留为主。 * Pui, Si,由真空泵的技术水平、抽气系统的泵型搭配以及容器、管道的布局决定。 Qi与真空系统的结构材料、加工工艺等有关 * 根据热丝测温方法不同，热传导真空计分为：电阻真空计和热电偶真空计。 当热丝通电加热时，热丝的热量通过三种途径散失， 辐射散热， 灯丝两端连线的热传导，气体的热传导损失。 * * * * 半导体薄膜技术与物理 申燕 * 主要参考