半导体器件热特性的电学法测量和分析.pdfVIP

　第 20 卷第 5 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 5　 V o l N o 　1999 年 5 月　　　　　　 　　　　　 　 , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay 半导体器件热特性的 电学法测量与分析 冯士维　谢雪松　吕长志　张小玲　何　焱　沈光地 (北京工业大学电子工程系　北京　100022) 摘要　 利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工 具. 本文利用电学法测量了 GaA s M ESFET 在等功率下, 加热响应曲线随电压的变化, 并通过 红外热像仪测量其温度分布, 结果表明电学法测得的平均温度与温度分布有很大关系. 理论计 算也表明了这一点. 在等功率条件下, 电学平均温度随着温度分布趋于均匀而减少. 该方法可 用来判断器件的热不均匀性. PACC: 7220P , 7330 1　引言 半导体器件的热特性直接影响器件工作温度、热阻, 并决定器件的工作寿命. 其热特性 的测量变得越来越重要. 目前, 半导体器件工作温度及热阻测量的主要方法有: 红外微象仪 [ 1 ] [ 2 ] [ 3 ] [ 4 ] 法 , 电学参数法 . 还有对半导体激光器的温升及热阻测量的光谱法 、光热阻扫描法 [ 5 ] 及光功率法 . 这些方法基于不同的测量原理, 可以用来确定半导体器件表面的温度分布 或者某种意义上的平均温度. 本文用改进的电学法, 测量了半导体器件工作时的温升、热 阻, 对其瞬态温度特性进行了较为详细的测量与分析, 并通过计算模拟, 将电学法用于分析 GaA s M ESFET 的热不均匀性. 2　测量原理及其装置 [ 6 ] 在恒定电流下许多器件的半导体结电压与温度具有很好的线性关系 . 图 1 是 In 异质 结在不同测试电流下的线性关系曲线. 为保证测量的结电压与温度有 GaA sP InP PN 较为准确的对应关系, 测试电流一般很小, 为 100 ～ 2 , 依芯片的结面积大小而定. 这 A mA 样可以减少由于测试电流产生的自升温. 　 北京市科技新星培养计划项目资助课题 冯士维　男, 1961 年出生, 副教授, 主要从事半导体器件可靠性物理、光电器件等研究 谢雪松　男, 1970 年出生, 工程师, 主要从事器件可靠性物理、电路等研究 收到,定稿 5 期　　　　　　　　冯士维等: 　半导体器件热特性的电学法测量与分析　　　　　　　　 359 器件测量时, 一般分为工作状态和测量状态. 对于 GaA sM ESFET , 正常工作时, 栅源之 间加反偏, 漏源之间加正偏. 所以从工作状态切换到测量状态时必须通过快速开关电路切断 漏源、栅源电压, 将正向恒定电流加到器件上. 测量此时结电压, 以确定对应的温度. 我们的 测