硅微压电超声换能器阵列设计.pdfVIP

硅微压电超声换能器阵列设计+ 郝震宏邓方青汤亮乔东海 (中国科学院声学研究所，北京，100080) ofthePiezoelec仃icMicro．machinedUltrasonicTransducer Design Array HAO Zhen-hong．DENGFang．qing，TANGLiang，QIAODong—hai 1．引言 超声成像是目前超声学中最活跃分支。现在常用的超声B扫描成像(俗称B超)已成为医学上一个很 重要的诊断方法。B超是用一维阵列实现二维成像。而目前超声成像与其它成像方法一样，正在向三维立 体成像方向发展，超声三维立体成像正在迅速成为超声领域新的生长点和发展方向。而实现三维立体成像 需要二维阵列，对于二维阵列”J，由于超声换能器阵元可达上万个以上，并且要求各阵元的一致性要好。 用分立的阵元(超声换能器)和电子电路制备，将带来巨大的困难，目前只能做成较少阵元的二维阵列。 采用集成化的微机电系统(MEMS)，即用硅微超声换能器MEMS阵列结构代替分立结构是克服此困难的 晟好的办法。未来甚至可以将微超声换能器阵列、发射电路、接收电路、信号处理和控制电路等集成在一 个单一芯片(SOC)上，形成SOC微超声成像系统。这样一个微系统其优点是突出的：它是微小型的，轻 便的，由于缩短传感阵列与后电路的引线而减少杂散电容和电阻，提高了信噪比和灵敏度，减少能量损耗， 节省制造成本。这种基于MEMS换能器阵列所构成的超声成像系统的实现，将会给超声成像带来革命性 变化【2】【”。 本文设计了一种一维硅微超声换能器阵列，阵列阵元的共振频率为100KHz。该换能器阵列使用Zn0 薄膜作为压电层，振动膜为氮化硅薄膜。文中分别计算了阵元数为8、16和32的一维硅微超声换能器阵 列的指向特性，以及每种阵列在阵元间距分别为1．7mm、3．4Imn和5．1mm时的指向特性。 2．阵列设计与制作 2．1阵列的制作 本文设计的硅微压电超声换能器阵列是基于氧化锌压电薄膜的弯曲振动模式工作的超声换能器。其振 动膜为氮化硅薄膜，图1为该传感器阵列单个阵元的结构截面示意图。 h1F ●● 止===≤乏二二：享黧 ： 歹飞 。：i 抽卅明r∞) 图1硅微压电超声换能器阵列阵元截面示意图 图2压电薄膜ZnO的x射线衍射图 薄膜，并图形化形成换能器阵列单元的下电极及相应连线；(d)在下电极上磁控溅射ZnO压电薄膜，厚度 l 上电极以及相应连线；(f)对硅片背面进行各项异性的体刻蚀，形成硅微压电超声换能器的振动膜结构。 方向高度择优。 ‘国家自然科学基金资助课题 2．2一维阵列指向性模拟计算 一维硅微压电超声换能器阵列的二维指向性为 D(口)= ，其中d为相邻阵元之间的间距；占声线与y轴夹角。 维指向特性； ”8～一J，j。_蔓 ．-。．0．；一 N21 6～～， ．．一。i：‘ ·．．·‘f：～i 2