沉积速率及氧分压对HfO2薄膜应力的影响.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ;( !$ #$$) !$ ， ， ， IW@ 8;( VW 8 !$ -FXWYE0 #$$) （ ） !$$$3#)$P#$$)P;( !$ P’$#;3$; UNJU 46+O2NU O2V2NU !#$$) NK?D 8 4KZL 8 OWF 8 沉积速率和氧分压对!#$ 薄膜残余应力的影响! ） ） ） ） ! # # # 岑 章岳光 陈卫兰 顾培夫 !）（复旦大学电光源与照明工程学系，上海 #$$% ） # ）（浙江大学现代光学仪器国家重点实验室，杭州 !$$#’ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #$$( !! !’ #$$) # 采用 数字波面干涉仪对以 玻璃为基底的电子束蒸发方法制备的 薄膜中的残余应力 *+,- ./012223,42 5) 67- # 进行了研究，讨论了沉积速率、氧分压这两种工艺参量对 薄膜残余应力的影响 实验结果表明：在所有的工艺 67- 8 # 条件下，薄膜的残余应力均为张应力；随着沉积速率的升高，氧分压的减小，薄膜的堆积密度逐渐增大，而残余应力 呈减小趋势 同时用 射线衍射技术测量分析了不同工艺条件下 薄膜的晶体结构，探讨了 薄膜晶体结 8 9 67- 67- # # 构是否会对其应力造成影响8 关键词：残余应力， 薄膜，沉积速率，氧分压 67- # ： ， ， ， %’’ %#($9 :’’$ $:$. %#(; ［］