第3章 光电子发射探测器整理ppt.pptVIP

光电信号检测 T0K时，有一部分电子的能量比费米能级EF高出δE，电子的最大动能高于T＝0K时的情况。 半导体中光电子发射的过程： 1. 对光子的吸收： 本征发射：光电子来源于价带；量子效率高（20％－30％） 杂质发射：光电子来源于杂质能级；量子效率低（1％） 自由载流子发射：光电子来源于自由电子；可忽略 3. 克服表面势能的逸出： 光电子从发射中心激发后，从导带底逸出所需的最低能量要大于逸出功 光电子发射材料的分类： 纯金属材料 掺杂金属或半导体：表而吸附一层其他元素原子的金属和半导体材料； 光电阴极——应用最广：用作光电管、光电倍增管、变像管、像增强器和一些摄像管等光电器件中的光电阴极。 作用：将不同波长的各种辐射信号转换为电信号，因此，光电子发射材料决定了光电器件的各项性能。 一、光电阴极的主要参数 1. 光照灵敏度（光照灵敏度／色光灵敏度／光谱灵敏度） （1）光照灵敏度：表示光电阴极在一定的白光(通常为色温2856K的钨丝灯)照射下，阴极光电流与入射的光通量之比。光照灵敏度也称白光灵敏度或积分灵敏度，单位为μA/lm。 (2)色光灵敏度：就是局部光谱区域的积分灵敏度。它表示在某些特定的波长区，通常用特性已知的滤光片(蓝色为QB24、红色为HB11、红外为HWB3)插入光路，然后测得 (3)光谱灵敏度：表示某一波长的单色辐射照到光电阴极上，阴极光电流与入射的单色辐射通量之比。 用S(λ)表示，单位为mA/W或A／W。 2．量子效率 量子效率：它表示一定波长的光子入射到光电阴极时，该阴极所发射的光电子数Ne(λ)与入射的光子数NP(λ)之比值，称为量子产额，用符号Q(λ)表示，即 量子效率和光谱灵敏度是一个物理量的两种表示方法。它们之间的关系如下： 3．光谱响应曲线 光电阴极的光谱灵敏度（或量子效率）与入射辐射波长的关系曲线，称为光谱响应曲线。真空光电器件中的长波灵敏度极限，主要由光电阴极材料的长波限λ0决定。 4．热电子发射 光电阴极中有少数电子的热能大于光电阴极逸出功，因而产生热电子发射。室温下典型阴极每秒每平方厘米发射二个数量级的电子，相当于10－16～10－17Acm－2的电流密度。这些热发射电子会引起噪声，限制着探测器的灵敏度极限。 二、常用的光电发射材料 一个良好的光电发射材料应具备下述条件： (1)光吸收系数大； (2)光电子在体内传输过程中受到的能量损失小； (3)表面势垒低，使表面逸出几率大。 金属由于其反射系数大、吸收系数小、体内自由电子多而引起碰撞损失能量大、逸出功大等原因而不满足上述三个条件。大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区，只能适应对紫外灵敏的光电探测器。 半导体光发射材料的光吸收系数比金属要大得多，体内自由电子少，散射能量损失小，因此其量子效率比金属大得多，光发射波长延伸至可见光和近红外波段范围。 1. 银氧铯阴极 银氧绝阴极是以Ag为基底、氧化银为中间层，上面再有一层带有过剩Cs原子及Ag原子的氧化铯，而表面由Cs原子组成。其灵敏度较低。 2．单碱锑化物光电阴极 碱金属与锑、铅、铋、铊等生成的金属化合物具有极其优越的光电发射性能，量子效率高。 3．多碱锑化物光电阴极 当锑和几种碱金属形成化合物时，具有较高的响应度，其中有双碱、三碱和四碱等，统称多碱光电阴极。从紫外到近红外的光谱区都具有较高的量子效率。 4．紫外光电阴极 对可见光灵敏的光电阴极，对紫外光也具有较高的量子效率。为了消除背景辐射的影响，要求光电阴极只对所探测的紫外辐射信号灵敏，而对可见光无响应，这种阴极通常称为“日盲”型光电阴极。 目前比较实用的“日盲”型光电阴极有锑化铯(CeTe)和碘化铯(CeI)两种，锑化铯阴极长波限为0.32μm，而碘化铯阴极的长波限为0.2μm。 三、负电子亲和势材料 前面讨论的常规光电阴极都属于正电子亲和势(PEA)类型，表面的真空能级位于导带之上。 但如果给半导体的表面作特殊处理，使表面区域能带弯曲，真空能级降到导带之下，从而使有效的电子亲和势为负值，经这种特殊处理的阴极称作负电子亲和势光电阴极(NEA)。 负电子亲和势（NEA）材料特点： （1）量子效率高 负电子亲和势阴极因其表向无表面势垒，所以受激电子跃迁到导带并迁移到表面后，不需克服表面势垒就可以较容易地逸出表面。 受激电子在向表面迁移过程中，因与晶格碰撞，使其能量降到导带底而变成热化电子后，仍可继续向表面扩散并逸出表面。 对于正电子亲和势光电阴极来说，激发到导带的电子必须克服表面势垒，只有高能电子才能发射出去，所以负电子亲和势光电阴极的有效逸出深度要比正电子亲和势阴极大得多。 （2）光谱响应