【2017年整理】CCD与CMOS对比.docVIP

CCD与CMOS技术对比分析 基本原理 CCD的成像原理 CCD（Charge Coupled Device），中文名字叫电荷耦合器，是一种特殊的半导体材料。它由大量独立的光敏元件组成，这些光敏元件通常是按矩阵排列的。光线透过镜头照射到 CCD上，并被转换成电荷，每个元件上的电荷量取决于它所受到的光照强度。当你按动快门，CCD将各个元件的信息传送到模/数转换器上，模拟电信号经过模 /数转换器处理后变成数字信号，数字信号以一定格式压缩后存入缓存内，此时一张数码照片诞生了。然后图像数据根据不同的需要以数字信号和视频信号的方式输出。 CMOS是怎样工作的 CMOS即互补金属氧化物半导体，它在微处理器、闪存和ASIC（特定用途集成电路）的半导体技术上占有绝对重要的地位。CMOS和CCD一样都是可用来感受光线变化的半导体。CMOS主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，通过CMOS上带负电和带正电的晶体管来实现基本的功能。这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片记录和解读成影像。 CCD在工作时，上百万个像素感光后会生成上百万个电荷，所有的电荷全部经过一个“放大器”进行电压转变，形成电子信号，因此，这个“放大器”就成为了一个制约图像处理速度的“瓶颈”，所有电荷由单一通道输出，就像千军万马从一座桥上通过，当数据量大的时候就发生信号“拥堵”，而HDV格式却恰恰需要在短时间内处理大量数据，因此，在民用级产品中使用单CCD无法满足高速读取高清数据的需要。 而CMOS则不同，每个像素点都有一个单独的放大器转换输出，因此CMOS没有CCD的“瓶颈”问题，能够在短时间内处理大量数据，输出高清影像，因此也能都满足高清HDV的需求。 CCD芯片 CMOS芯片 原理 基于单晶硅技术 基于MOS技术 成品率 低 高 功耗 高 低 成本 高 低 读取速度 低 高 宽动态范围 小 大 低照度 随着技术的进步，发展出的半导体工艺BSI技术能彻底解决CMOS低照度下表现不佳的情况。BSI技术背面照射是能够消除CMOS传感器唯一的缺点——灵敏度低的技术。传统CMOS传感器的光传感器（光电二极管）上面有3层等多层布线层，遮挡了部分入射光。因此，灵敏度比只有1层布线层的CCD传感器要低，只有后者的一半左右。而BSI型CMOS传感器的光传感器上面没有布线层（图2）。因为是从光传感器的背面（硅底板侧）采光。这样便能够防止遮挡入射光。 所以，可以获得与CCD相当甚至高于CCD的灵敏度。从而解决了CMOS的最后一个弱点。 在2009年后，各大厂家就实现了向CMOS全面转型的计划。 目前，CCD的领导者SONY推出的所有高清网络摄像机都是基于CMOS技术的。而且在最低照度要求已经优于CCD器件。 SONY高清摄像机 SNC-DH160 HD高清网络全能型半球摄像机 SNC-DM160 百万像素智能网络半球摄像机 对于同样的场景，采用CCD与CMOS宽动态技术拍摄的照片，左图为CCD拍摄，右图为CMOS拍摄。由上图看出，CMOS-DPS摄像机可以通过其超强的宽动态功能来获得高质量的图像，即可以达到比CCD更真实、更清晰的图像。 参考文献： /secu/jsqy/2010/0917/4MMDAwMDIxNjc4Mw_2.html /dispbbs.asp?BoardID=51replyID=238588ID=365752skin=1 /productinfo/vs/13538.htm CCD与CMOS的5大差异 ?CCD和CMOS是现在普遍采用的两种图像工艺技术，它们之间的主要差异在于传送方式的不同，用过相机的人肯定对这两个名词不会陌生，可是对它们之间的性能区别，却并不是很了解。这里将做简单的比较说明。 ?? 1、噪声差异：由于CMOS的每个感光二极管都需要搭配一个放大器，若以百万像素计算的话，那就需要上百万个的放大器，然而放大器属于模拟电路，很难让所得的每个结果都保持一致。而CCD只需要一个放大器放在芯片边缘，与CMOS相比，它的噪声相对减少很多，大大提高了图像品质。 ?? 2、耗电量差异：CMOS采用主动式图像采集方式，感光二极管所产生的电荷会直接由旁边的电晶体放大输出；而CCD为被动式采集方式，必须外加12~18V的电压以使每个像素中的电荷移送到传输通道。因此CCD就必须设计更精密的电源线路和耐压强度，这样使得CCD的耗电量远远高出CMOS，根据计算CMOS的耗电量仅是CCD的1/8~1/10。 ?? 3、分辨率差异：由于CMOS的每个像素都比CCD复杂，且其像素尺寸很难达到CCD的水平，因此，当我们比较相同尺寸的CCD与CMOS时，CCD的分辨率通常会优于CMOS传感器的水平。例如，维视数字图像技术有限公司生产的4.40μm*4.40μm像元大小的CCD